近年隨著電動汽車產業崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發驅使SiC爭奪戰正一觸即發。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
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意法半導體 Norstel AB 碳化硅 SiC
近日， 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導體行使期權，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現金支付。
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意法半導體 碳化硅 Norstel AB
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)日前宣布簽署一份協議，擬收購瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel
AB(以下簡稱“Norstel”)的多數股權。在此項收購交易完成后，意法半導體將在全球產能受限的情況下掌控部分SiC器件的整個供應鏈，為把握一個重大的發展機會做好準備。 意法半導體將收購Norstel公司
55%的股本，并享有在滿足某些條件下收購剩余45%股本的期權，如果行使期權，最終收購
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意法半導體 Norstel AB
意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協議，收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來，開發和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈，并為自己帶來一個重要的增長機會。
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ST Norstel SiC
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