根據TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區的智能型手機，出現整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產品而延遲購買，市場持續萎縮。此一現象，導致以消費型產品為主的內存現貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內存市場正遭遇嚴峻挑戰。內存產業雖一向受周期因素影響，但202
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TrendForce 內存 DRAM
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c
DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展。”公司以1b DRAM
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SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
根據TrendForce集邦咨詢調查，受惠主流產品出貨量擴張帶動多數業者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內存）產業營收達229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional
DRAM（一般型內存）合約價漲幅將高于先前預期。觀察Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區四月初地震影響，以及HBM
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DRAM TrendForce 集邦咨詢
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態系
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imec High-NA EUV DRAM
8月7日消息，隨著移動設備功能的不斷增強，對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業界最薄的LPDDR5X
DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優化印刷電路板（PCB）和環氧樹脂封裝技術，將LPDDR5X的厚度
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三星 手機芯片 LPDDR5X DRAM
隨著游戲要求越來越高，DDR4 和 DDR5 內存之間的差距不斷擴大。
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DDR4 DDR5
近期在智慧手機、PC、數據中心服務器上，用于暫時儲存數據的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產能增開，對一般型DRAM產生的排擠效應，加上產業旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據了解，6月指針性產品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
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HBM DRAM 美光
圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創新實力2024年7月8日至10日，西安紫光國芯半導體股份有限公司（簡稱：紫光國芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業控制、消費電子等重點領域，為客戶提供全方面的存儲產品及相關技術解決方案。展會現場重點展示了DRAM存儲系列產品、SeDRAM?技術和CXL技術、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產品系列DRAM KGD展區首次展示了紫
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紫光國芯 慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL
根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，由于通用型服務器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高，使供應商將延續漲價態度，第三季DRAM均價將持續上揚。DRAM價格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補庫存意愿漸趨保守，供應商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進入生產旺季，因此預計智能手機
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服務器 DRAM TrendForce
6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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SK海力士 3D DRAM
全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢觀察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商，將仍為采購高階主打訓練用AI
server的主力客群，以作為LLM及AI建模基礎。待2024年CSPs逐步完成建置一定數量AI訓練用server基礎設施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI
server，促其企業客戶在制造、金融、醫療、商務等各領域應用落地。此外，因AI PC或NB在計算機設備基本架構組成與
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云端 CSPs 邊緣AI DRAM TrendForce
內存大廠美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預期，美光經營層將大談需求改善、行業供應緊張、價格進一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發展，提出對后市正向的看法。由于AI應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
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HBM DRAM 美光
中國臺灣美光內存后里廠20日下午5點34分發生火警，火勢快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發出聲明指出，臺中廠火警廠區營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報，中國臺灣美光位在后里區三豐路的廠房發生火災，消防局抵達時廠區人員已將火勢撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據經濟日報報導，美光針對臺中廠火警一事發出聲明，經查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達96％。美光高達65％的DRAM產品在中國臺灣生產，
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美光 DRAM
IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業內人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業已實現生產正常化的 NAND 閃存產業形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現 NAND 產線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務器、智能手機和 PC 產業復蘇緩慢導致的
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DRAM 閃存 三星 海力士
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