今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術，三星業(yè)內先進的12 納米級DDR5
DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期，三星通過量產 12nm 的 DRAM，希望進一步鞏固其在該領域的領先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務器和數據中
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三星 DDR5 DRAM
三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強?平臺上取得了具有里程碑意義的進展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內存擴展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB
CXL DRAM，預計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬。可擴展內存（Memory Expander）“作
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三星電子 CXL 2.0 CXL DRAM
在行業(yè)下行周期時，新技術、新產品的誕生往往會成為振奮市場的關鍵點。當下DDR5 DRAM作為存儲領域的新產品，逐漸成為各大企業(yè)競逐的焦點。據外媒消息報道，行業(yè)專家認為三星、美光等公司正大力推動DDR5內存普及，以此遏制半導體市場下滑的趨勢。公開資料顯示，DDR5 DRAM是聯合電子設備工程委員會（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規(guī)范，其性能比DDR4
DRAM高了一倍。據悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進的DRAM單元技術節(jié)點，例如D1z或D1a
(D1α)代，這是1
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三星 美光 DDR5
集邦咨詢預估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務器內存）價格跌幅將收斂，由原預估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
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DDR5 DRAM
服務器新平臺英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機種量產在即，但近期市場上傳出服務器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問題。研調機構集邦科技（Trendforce）認為，該情況將產生兩種影響，DRAM原廠短期內將同步提升對芯源的采購比重，另外內存將停留在舊制程，因此預估第二季DDR5服務器DRAM價格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應的電源管理IC無狀況，DRAM原廠短期內將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5服務器DRAM生產仍停留在舊制程，短期內供給量難
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DDR5 服務器DRAM Trendforce
服務器新平臺Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機種量產在即，但近期市場上傳出Server DDR5
RDIMM的PMIC匹配性問題，目前DRAM原廠與PMIC廠商均已著手處理。TrendForce集邦咨詢認為，該情況將產生兩種影響，首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應的PMIC無狀況，DRAM原廠短期內將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠DDR5
Server DRAM生產仍停留在舊制程，短期內供給量難免受此事件影響，故預估第二季DDR5 Server
DRAM
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Server DDR5 RDIMM PMIC
2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現有最高性能DRAM（內存）——HBM3*的技術界限，全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）**的HBM3 DRAM新產品，并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產HBM3 DRAM后，又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產品?！?“最近隨著人工智能聊天機器人（AI Chatbot）產業(yè)的發(fā)展，高端存儲器需求也隨之增長，公司將從今年下半年起將其推向市場，以滿足
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SK海力士 堆疊HBM3 DRAM
據媒體報道，盡管消費性電子應用需求復蘇緩慢，但華邦電總經理陳沛銘指出，第二季與客戶洽談合約價格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設計、制造與銷售公司，其產品包括利基型存儲器（Specialty DRAM）、行動存儲器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲器產品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產品價格上看，在NAND
Flash方面，此前據TrendForce集邦咨詢3月30日調查指出，即便原廠持續(xù)進行減產，然需求端如服
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利基型 DRAM
IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導致存儲產品價格大跳水的背景下，三星電子第一季度業(yè)績營業(yè)利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產。這是自 1998 年金融危機以來，三星時隔 25 年首次制定正式減產方案。據韓國《中央日報》援引業(yè)內人士消息，三星的減產計劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產品，位于華城市的內存產品線產量將削減 3 至 6 個月。消息人士表示，雖然產能有所增加（通過技術性減產），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
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存儲芯片 DDR4 DDR5 三星
TrendForce集邦咨詢表示，由于部分供應商如美光（Micron）、SK海力士（SK
hynix）已經啟動DRAM減產，相較第一季DRAM均價跌幅近20%，預估第二季跌幅會收斂至10~15%。不過，由于2023下半年需求復蘇狀況仍不明確，DRAM均價下行周期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高的情況下，除非有更大規(guī)模的減產發(fā)生，后續(xù)合約價才有可能反轉。PC DRAM方面，由于買方已連續(xù)三季大減采購量，目前買方的PC DRAM庫存約9~13周，而PC
DRAM原廠已進行減產，TrendForce集
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DRAM 止跌 TrendForce
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