- 美光的新一代內存，目前已出貨給數據中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力，并以更高效能輔佐數據中心及客戶端平臺，支持AI訓練及推論、生成式AI、數據分析、內存數據庫等。美光推出的16Gb DDR5內存，以其領先1β制程節點技術，美光1β DDR5 DRAM的內建系統功能速率可達7,200MT／s，相較于前一代產品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產品，在現有模塊化密度中，速率可達4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數據中心及客戶端應用。
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美光 高速內存 DDR5
- 在人工智能（AI）、機器學習（ML）和數據挖掘的狂潮中，我們對數據處理的渴求呈現出前所未有的指數級增長。面對這種前景，內存帶寬成了數字時代的關鍵“動脈”。其中，以雙倍數據傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術作為動態隨機存取存儲器（DRAM）的重要演進，極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現了顯著的進步。如今，無論是 PC、筆電還是人工智能，各行業正在加
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DDR5 Cadence Sigrity X
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經通報即生效。據悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協調，與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
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三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
- 受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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NAND SSD DRAM
- 據媒體引述內存模組制造商表示，主要半導體制造商正在增加DDR5內存的可用容量，該內存預計將在2024年成為主流。預計到2023年底，他們的DDR5內存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。DDR5是第5代雙倍數據速率同步動態隨機存取內存，又稱DDR5 SDRAM。相比DDR4，DDR5在帶寬，頻率上優勢都是非常明顯的。今年來，DDR5的動態頻繁傳來：三星方面，該公司于今年5月量產12納米級16Gb DDR5 DRAM，于9月已成功開發12nm級32Gb DDR5 DRAM。三星表示，全新12
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DDR5 內存
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰 1γ DRAM 技術。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產 1β DRAM，不過研發的目標是在 2025 年量產 1γ DRAM，這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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DRAM 閃存
- 盡管由于經濟逆風、高通貨膨脹影響，存儲產業身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產1β DRAM之后，計劃于2025年量產1γ
DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產，未來日本廠也有望導入EUV
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DRAM NAND 存儲
- 面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰略據韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業務，并利用其在那里的成熟節點能力來針對國內需求的產品。關于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
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CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續減產，已經市場去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現反彈，9 月繼續上漲。行業巨頭三星繼續減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
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存儲 DRAM NAND Flash
- 消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。固定BOM的重要性消費類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會發生變化，而且經常會在用戶未知的情況下發生變化，另外用戶可能會在一月份訂購兩個 DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個用于生產，但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
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innodisk DRAM
- 內存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價能力提升，市場高度期待美光獲利進一步改善，預期產業最壞情況已過。由于內存大廠近期積極減產，部分市場需求轉強，AI服務器需求尤為強勁，致使DRAM報價逐漸改善。美光財務長Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續保持自制力、預測價格有望于2023年下半轉強。美光營運有望改善，帶動股價逐漸走強，該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調美光投資評等及目標價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價從75美元調高到
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美光 DDR5 DRAM
- 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響，存儲市場發展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續于去年第四季度啟動減產，2023年三星宣布加入減產行列。不過，由于市場需求持續衰弱，2023年存儲市況仍未復蘇，價格不斷下跌，廠商業績承壓。這一背景下，部分存儲廠商期望通過繼續減產維穩價格，推動市場供需平衡。近日，臺灣地區《工商時報》等媒體報道，DRAM廠商南亞科將跟進大廠減產策略，調整產能、降低稼動率、彈性調整產品組合和資本支出，根據客戶需求和市場變化動態調整，以應對市場疲軟，預計產能將動態調降20％以內。此前，全球市場
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存儲廠商 DRAM TrendForce
- 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
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DRAM
- 一路暴跌的半導體行業在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發布最新數據，第二季 DRAM 產業營收約 114.3 億美元，環比增長 20.4%，終結連續三個季度的跌勢。存儲作為行業的風向標，止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數，又何時傳遞給整個半導體行業呢？經歷低谷根據 TrendForce 發布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業營收為 181.9 億美元，環比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
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DRAM
- IT之家 9 月 4 日消息，據臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產品在臺灣生產，其中臺日團隊一起研發新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術。據悉，美光現在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態隨機存取記憶體（DRAM
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美光 DRAM
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