- 一路暴跌的半導體行業在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發布最新數據，第二季 DRAM 產業營收約 114.3 億美元，環比增長 20.4%，終結連續三個季度的跌勢。存儲作為行業的風向標，止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數，又何時傳遞給整個半導體行業呢？經歷低谷根據 TrendForce 發布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業營收為 181.9 億美元，環比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
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DRAM
- IT之家 9 月 4 日消息，據臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產品在臺灣生產，其中臺日團隊一起研發新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術。據悉，美光現在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態隨機存取記憶體（DRAM
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美光 DRAM
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代雙倍數據率同步動態隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發下一代DRAM內存技術領域中的地位，并開啟了大容量內存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發出實現1TB內存模組的解決方案
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三星 12納米 DDR5 DRAM
- 動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- 高啟全是全球 DRAM 領域最資深的人士之一。
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DRAM
- IT之家 7 月 5 日消息，據多個韓國媒體報道，三星電子昨日突然在非常規人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負責人，被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現低迷、強化代工業務的手段”。首先，三星代工事業部技術開發部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業部最高技術負責人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時，負責存儲半導體中 DRAM 開發的部門負責人也被更換，由原本擔任戰略營銷部門副社長的黃相俊（Hwang Sang-jun）接管，被業界解讀為對 HB
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三星 DRAM
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務器和客戶端系統推出客戶端時鐘驅動器（CKD）和第三代DDR5寄存時鐘驅動器（RCD）。憑借這些全新驅動器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達7200MT/s的速度，是業內首款與小型DIMM
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瑞薩 時鐘驅動器 RCD DDR5 DIMM
- IT之家 6 月 7 日消息，內存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進制內存，雙槽即可實現 96GB，四個內存插槽全插滿可實現 192GB 的內存容量。美光今天宣布開始量產 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當于 DDR4 內存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務器領域主要使用的內存類型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
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美光 DDR5
- 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元，年減少66.42%。據中國臺灣媒體《中時新聞網》引述南亞科總經理提到，DRAM市況預期第三季產品價格可望回穩。南亞科總經理認為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長率可能低于長期平均值，但DRAM是電子產品智能化的關鍵元件，未來各種消費型智能電子產品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
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DRAM TrendForce
- IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經完成了 1bnm 的開發，這是 10 納米工藝技術的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產品的內存程序進行驗證。海力士的 DRAM 開發主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產品所采用。英特爾內存和 IO 技術副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個針對
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海力士 DDR5
- 5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個開發團隊，以量產4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節點的情況下，與現有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產業未能商業化的單元結構技術，據說工藝難點頗多。不過三星認為，與SK海力士和美
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三星 4F2結構 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根據韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專業的團隊，負責開發 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現有的 6F2 級別，在不改變工藝節點的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術，DRAM 行業早在 10 年前就嘗試商業化，但最后以失敗告終。三星組建了專業的團隊，研發 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統。在漏極（D）上方安裝一個
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三星 DRAM
- 據TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產業營收約96.6億美元，環比下降21.2%，已續跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價格依舊續跌，然而在原廠陸續減產后，DRAM下半年價格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價格跌幅仍深，預期營收成長幅度有限。營收方面，三大原廠營收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價（ASP）同步下跌，營收約41.7億美元，環比下降24.7%。
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DRAM TrendForce
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