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        ddr5 dram 文章 最新資訊

        DDRII需求過于樂觀 導致DDR供應出現缺口

        •     5月26日消息,近幾個月以來,全球DRAM大廠為配合英特爾(Intel)及國際計算機大廠全力推動DDRII成為下一世代的計算機主流架構,紛紛加速將產能轉換至DDRII,因而造成DDR產出量迅速下滑。也由于計算機大廠對于DDRII做出“過于樂觀”的錯誤判斷,反而需回頭向中國臺灣DRAM廠采買更多的DDR顆粒以因應市場需求。    DRAM廠指出,過去幾個月以來,戴爾(Dell)、惠普(HP)等個人計算機(PC)大廠,對于推升DDRII成為市場主流的態度越來越積
        • 關鍵字: DRAM  存儲器  

        臺灣DRAM晶圓產業高層人事變動近期趨頻繁

        •     近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁,包括華邦電(2344)原記憶體事業部資深高階主管王其國,以及力晶(5346)原創始元老曾邦助,都相繼轉換跑道,為其他DRAM業者效力,加上華邦電近半年來亦出現研發人員流動率偏高情況,DRAM業界多認為,盡管人員流動不至于影響DRAM廠既有運作,但仍凸顯出DRAM產業高度不確定及不穩定特性。    華邦電發言人溫萬壽19日表示,王其國原任華邦電BG2(Business Group 2)事業群總經
        • 關鍵字: DRAM  其他IC  制程  

        半導體分析師認為DRAM價格下跌將減緩

        •  根據彭博資訊(Bloomberg),證券業者花旗集團旗下半導體分析師,宣布將DRAM業者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調高,理由是認為DRAM價格下跌的狀態將開始減緩。     據了解,花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調高至“買進”,Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調高至“持有”,韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出,價格可能在下個月或其后一個約觸底,而全球
        • 關鍵字: DRAM  存儲器  

        300mm線建設今年掀高潮

        • 2005年3月A版    盡管2005年世界半導體業的銷售值勢比上年大幅下降,但銷量將繼續快速增長。為迎接這一需求,2005年300mm晶圓片生產線將加速建設。據iSuppli公司預測,當年將共建成16條生產線,比2003和2004年所建線加在一起還多。    2005年建設高潮是經歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線,其回報在2001年經濟衰退中受到嚴重打擊,可執著堅持的公司卻在2004年半導體市場再創新高時獲得豐厚回報。 
        • 關鍵字: DRAM  存儲器  

        英飛凌在DRAM溝槽技術中取得重大突破

        •   英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學會 2004年12月13~15日于美國舊金山舉行)國際電子器件會議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產性的、適合未來DRAM產品的70 nm工藝技術,此技術以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎。目前全球25%的DRAM生產都是以溝槽技術為基礎的。在其報告中,英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術特征――包括首次在基于溝槽技術的DRAM生產流程中使用高介電常數物質。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術突破,顯示了溝槽技術的可伸縮性。
        • 關鍵字: DRAM  存儲器  

        上半年全球DRAM市場增長66% 中國成決定因素

        •   iSuppli最新發布的報告指出,今年上半年全球DRAM市場規模比去年同期增長66%,中國市場增長88%,其次為亞太地區(不含中國)的81%。日本經濟情況改善,其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%,遠不及全球的66%。     在主要供貨商方面,Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長;而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場,Hynix是該地區的領導廠商,市場占有率高達42%,去年同期為40%。
        • 關鍵字: DRAM  存儲器  

        美商凱創獲獎入侵偵測系統Dragon新版問世

        • 企業網路設備廠商 - 美商凱創(Enterasys Networks)表示,日內發表其獲獎產品Dragon入侵偵測系統(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基礎架構中加入更好的延展性、可用性與彈性,以強化企業網路的安全
        • 關鍵字: IDS  凱創  DDR2  DRAM  

        1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功

        •   1993年,第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
        • 關鍵字: 華晶  DRAM  

        1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功

        •   1985年,第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
        • 關鍵字: 芯片  DRAM  
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        ddr5 dram介紹

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