鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。

聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計(jì)算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：

氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲器）技術(shù)： 與SK海力士聯(lián)合開發(fā)的高容量交叉點(diǎn)MRAM技術(shù)，通過將高密度選擇器與磁隧道結(jié)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單元密度。同時，該技術(shù)還采用了創(chuàng)新的讀出方法，有效降低了讀取干擾，提升了存儲器的可靠性。這項(xiàng)技術(shù)在人工智能和大數(shù)據(jù)處理等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。MRAM因其非易失性、高速讀寫、無限寫入次數(shù)和高可靠性等特性，被認(rèn)為有望在多種應(yīng)用領(lǐng)域替代現(xiàn)有的存儲技術(shù)。MRAM的基本單位為磁隧道結(jié)（MTJ），利用材料的磁阻變化來存儲數(shù)據(jù)。

具有水平單元堆疊結(jié)構(gòu)的下一代3D存儲技術(shù)：鎧俠自主研發(fā)的下一代3D閃存技術(shù)采用水平單元堆疊結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的垂直堆疊結(jié)構(gòu)，具有更高的位密度和可靠性。這項(xiàng)創(chuàng)新有望進(jìn)一步提升閃存的存儲容量和性能，滿足未來數(shù)據(jù)存儲不斷增長的需求。3D DRAM通過垂直堆疊技術(shù)，將DRAM單元尺寸大幅減少，提高能效的同時降低單元面積。這種技術(shù)有望成為推動DRAM微縮的關(guān)鍵因素，滿足不斷增長的存儲需求和性能要求。