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下一代晶體管技術(shù)何去何從
- 大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會持續(xù)多久和為什么要替代他們? 在近期內(nèi)，從先進的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點。但是到7nm及以下時，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。 半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后，到5nm時，可能會有兩種技術(shù)，其中一種是環(huán)柵F
- 關(guān)鍵字： 晶體管 FinFET
高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片
- 高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標(biāo)志著移動射頻前端技術(shù)的一個重大進展，兩款芯片借助簡化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關(guān)，相信會在集成電路上實現(xiàn)前所未有的功能。 集成天線開關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件，并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動網(wǎng)絡(luò)的單
- 關(guān)鍵字： 高通 CMOS
一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計
- 本文設(shè)計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
- 關(guān)鍵字： 射頻開關(guān) CMOS 開關(guān)芯片 201402
一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案
- 隨著筆記本電腦、手機、PDA等移動設(shè)備的普及，對應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍，高性能、低成...
- 關(guān)鍵字： CMOS 線性穩(wěn)壓器
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