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        cmos finfet 文章 最新資訊

        一種新型的nA量級CMOS基準電流源

        • 基準電流源是指在模擬集成電路中用來作為其他電路電流基準的高精度、低溫度系數(shù)的電流源[1]。作為模擬集成...
        • 關鍵字: nA量級  CMOS  基準電流源  

        16納米/14納米FinFET技術:最新最前沿的電子技術

        • FinFET技術是電子行業(yè)的下一代前沿技術,是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比,F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢。英特爾已經(jīng)在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術,同時許多晶圓廠也正在準備16納米或14納米的FinFET工藝。
        • 關鍵字: Cadence  FinFET  晶圓  201304  

        一種應用于D類音頻放大器的CMOS振蕩器的設計

        • 文中介紹了一種應用于低D類音頻功放的CMOS振蕩器結構設計,用于對音頻信號的調制。振蕩器采用內部正反饋的遲滯比較器設計,大大降低了電源電壓和環(huán)境溫度時CMOS振蕩器振蕩頻率的影響。理論分析及仿真結果表明,此CMOS振蕩器具有較高的頻率穩(wěn)定性。
        • 關鍵字: CMOS  應用于  D類音頻放大器  振蕩器    

        紅海的取勝策略

        • 手機是典型的紅海市場,很多歐美公司因此放棄了此塊業(yè)務,轉向工業(yè)、個人科技等利潤較高的藍海領域。而手機卻是我國本土芯片廠商活躍的地帶。
        • 關鍵字: 格科  CMOS  201304  

        手持式觸摸屏系統(tǒng)的低功耗設計

        • 摘要:觸摸屏在移動設備中越來越受歡迎。但觸摸屏消耗的平均電流可能很大,從而會導致系統(tǒng)電池的電量快速耗盡。本文將主要探討以下內容:功耗的基礎知識、影響功耗的不同因素以及為需要提供強大性能同時節(jié)省電池使用壽命的器件設計低功耗觸摸屏系統(tǒng)。
        • 關鍵字: 觸摸屏  CMOS  CPU  201304  

        2012年第四季度的緩解并未給半導體制造商帶來安慰

        •   盡管在第四季度出現(xiàn)了高于預期的增長,2012年對于半導體市場和供應商來說仍然是慘淡的一年,前25家芯片制造商中僅有8家勉強維持收入增長——但是,9家芯片制造商遭受兩位數(shù)下滑。   根據(jù)信息及分析公司IHS(紐約證券交易所:IHS)的IHS iSuppli競爭格局分析工具(CLT)的最終結果,與2011年相比,2012年的全球半導體收入下滑了2.2%。IHS在12月份發(fā)布的初步預測報告中預計下降2.3%。最終結果的適度改善來自第四季度的同比增長,該增長稍微高于預期,最高實現(xiàn)了2
        • 關鍵字: LED  CMOS  

        用先進的負載點穩(wěn)壓器改善醫(yī)療成像質量

        • 傳統(tǒng)模擬 X 射線成像系統(tǒng)以專門的感光膠片為介質,將通過的 X 射線轉變成可視圖像。為了完成這一任務,該膠片必須經(jīng)過一種化學顯影過程,這個過程可能需要幾分鐘,因此推遲了開始對病人進行治療的時間。此外,顯影過程完成以后,醫(yī)療團隊可能會發(fā)現(xiàn),由于 X 射線曝光不正確,該圖像需要重新攝取。
        • 關鍵字: 凌力爾特  穩(wěn)壓器  CMOS  

        ARM與臺積電達成FinFET技術合作里程碑

        •   ARM 與晶圓代工大廠臺積電(TSMC)共同宣布,完成首件采用 FinFET 制程技術生產(chǎn)的 ARM Cortex-A57 處理器產(chǎn)品設計定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進一步提升未來行動與企業(yè)運算產(chǎn)品的效能,包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運算應用的產(chǎn)品,此次合作展現(xiàn)了雙方在臺積公司FinFET制程技術上,共同優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品所締造的全新里程碑。   藉由 ARM Artisan 實體IP、臺積電記憶體巨集以及開放創(chuàng)新平臺(Open Innov
        • 關鍵字: ARM  FinFET  

        PIC單片機學習方法

        • 為了給前一段時間學習PIC16F616型單片機的一個總結和方便大家的交流,我寫了這篇關于PIC單片機的學習心得,都 ...
        • 關鍵字: PIC單片機  PIC16F616  CMOS  

        一種采用CMOS 0.18μm制造的帶EBG結構小型化的片

        • 采用標準0.18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1.6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試,結果表明該片上天線工作在20CHz,具有小型化的性能,同時具備三次諧波抑制的功能。
        • 關鍵字: CMOS  EBG  制造  天線    

        CCD對比CMOS傳感器優(yōu)劣之分淺析

        • CCD及CMOS在從事機器視覺或攝影等行業(yè)的朋友來說一點也不陌生,目前雖然在價格上CMOS更有優(yōu)勢并且在技術上的進步也在穩(wěn)步推進當中,但CCD在一些重點領域中的應用并不見減少。圖像傳感器有CCD和CMOS兩種,是機器視覺攝
        • 關鍵字: 優(yōu)劣  淺析  傳感器  CMOS  對比  CCD  

        隔離技術與部件在醫(yī)療系統(tǒng)安全中的應用

        • 醫(yī)療領域與其它領域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關鍵作用,它必須是強健和可靠的,并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術的發(fā)展,更小、更可靠和高性能隔離器件出現(xiàn)了,如單封裝、多通道數(shù)字隔離器、AC電流感應器和隔離柵驅動器。
        • 關鍵字: 隔離器  醫(yī)療系統(tǒng)  CMOS  

        GF推出強化型55納米CMOS邏輯制程

        •   GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強化型(LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是業(yè)內首個且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點,使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。   GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁BruceKleinman表示:“‘55n
        • 關鍵字: GF  CMOS  

        寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析

        • 寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析,寬動態(tài)攝像機到現(xiàn)在為止,究竟經(jīng)歷了幾代,沒能講得清楚。就技術而言,不算背光補償技術,寬動態(tài)現(xiàn)有二種重要實現(xiàn)方式:CCD+DSP技術和CMOS+DPS技術。CCD+DSP技術:DSP芯片是一種特殊的微處理器,根據(jù)數(shù)字信號處理理論
        • 關鍵字: 解析  CCD/CMOS-DSP  攝像機  監(jiān)控  動態(tài)  

        GLOBALFOUNDRIES推出強化型55納米CMOS邏輯制程

        •   GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內首個且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點,使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。   GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁Bruce Kleinman表示:&ldqu
        • 關鍵字: GLOBALFOUNDRIES  CMOS  55nm  
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        cmos finfet介紹

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