引 言
CMOS圖像傳感器是近年來得到快速發展的一種新型固態圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里，體積明顯減小、功耗也大大降低，滿足了對高度小型化、低功耗成像系統的要求。與傳統的CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡單、價格低廉等諸多優點。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進步和完善，CMOS圖像傳感器已經廣泛應用于各種通用圖像采集系統中。同時作為一種PC機與外圍設備間的高速通信接口，USB具有許多突出的有點： 連接簡便，可熱插拔，無需定位及運行安裝
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CMOS USB CPLD
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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電荷泵 CMOS DC-DC 圖像傳感器 鎖相環芯片
設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發開關芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術，在1.8V電壓供電下，該射頻開關收發兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。
目前，全球無線通信系統正處于快速發展進程中，無線通信“行業專網”系統也正處于飛速發展的黃金時期。我國無線通信行業專網所用頻點和帶寬種類繁多，其頻率 主要集中在0.1-1.2GHz。各專網使用不同的頻點、射頻帶寬和信號帶寬，標
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CMOS 射頻無線收發芯片 RFID
東京—東芝公司今天宣布，該公司已開發出一款采用標準CMOS技術制造的原型參考時鐘振蕩器，該振蕩器達到了全球最高等級精確度。這款新設備用于代替傳統的晶體振蕩器，將為電子設備的微型化提供支持。
東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規模集成電路技術及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項振蕩器技術。
近年來，對于作為電子產品復雜功能來源的電子組件的微型化要求已經擴及振蕩器，激發了對超小型振蕩器的興趣。
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東芝 CMOS 振蕩器
應用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統。作為業內領先的中電流離子注入設備，該系統專為2x納米以下節點的FinFET和3D NAND制程而開發，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復雜3D器件實現器件性能優化，降低可變性，提高良率，是應用材料公司在精密材料工程領域的又一重大突破。
VIISta 900 3D系統能有效提高離子束角度精度和束線形狀準確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶實現制程的可重復性，優化器件性
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VIISta 900 3D 2x納米 FinFET
Needham & Co.半導體設備分析師Edwin Mok 27日針對晶圓代工領域提出了透徹分析，認為相關的半導體設備訂單有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鰭式場效電晶體)訂單卻將遞延一季。
barron`s.com報導，Mok發表研究報告指出，據了解晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠的20奈米制程產能，而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠的設備，這似乎支持了近來傳出的高通(Qualco
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FinFET 14納米
英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴大高效集成電路解決方案產品組合，推出一款天線調諧專用開關。新款天線調諧開關(Aperture tuning)對提升4G智能手機和平板電腦的終端用戶體驗助益匪淺。該新產品從根本上優化天線特性，在相關的LTE頻帶上可讓運行中的數據率達到最高水平。BGS1xGN10系列開關采用市面上最小封裝，這對新一代智能手機和其他便攜式設備等空間受限的應用而言至關重要。此外，該系列進一步降低電流消耗，延長此類設備的待機和工作時間。 采用英飛凌射頻CMOS開關技術的天線調諧專用開關有利于開
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英飛凌 BGSA14GN10 CMOS
英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話和平板電腦的射頻開關的出貨量已經突破10億大關。這凸顯了英飛凌作為發展速度最快的射頻開關領先供應商之一的地位。預計，今后數年，隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來越多的LTE頻段，射頻開關需求將呈兩位數增長。 隨著4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來越多，其射頻前端部件設計日益復雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應用之外，天線開關也是射頻前端至關重要的主要組件。這些天線開關要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發射(TX)/接收(RX)通道，要
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英飛凌 LTE CMOS
專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發創新型下一代射頻(RF)解決方案的領先無晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無線局域網絡(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產。 RFX241最新加入RFaxis瞄準快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網關(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎設施市場的純CMOS大功率CMOS PA產品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場上
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RFaxis RF CMOS
應用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學氣相沈積(CVD)系統加入獨特的鈷金屬后，一舉突破導線技術傳統瓶頸，讓“摩爾定律”持續向下進展到20納米。此外，應材的EnduraVentura實體氣相沈積(PVD)系統不但成功協助客戶降低成本，更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。
在強大技術創新突破的支持下，應用材料公司在營運方面也頗有斬獲。應用材料公司臺灣區總裁余定陸表示，拜半導體事業的蓬勃發展與應用材料公司不
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應用材料 FinFET
在地熱生產和石油生產過程中溫度通常會超過200℃，高于設備所用的傳統微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統研究所(IMS)的研究人員近日開發出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。
傳統的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續冷卻，但是很難實現。此外，市場上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過大(最小尺寸也達1微米)。
IMS開發的微芯片尺寸僅有0
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微芯片 CMOS
因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現有標準，于是采用襯底驅動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動技術的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅動MOS晶體管的原理類似于結型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
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MOS CMOS
當平面工藝已經無法滿足對于性能提升的需求時，3D架構是業界首先能想到的提升方式。
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CMOS 納米
作為專注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術供應商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。
“卓勝微電子的GPSLNA產品能夠給三星大批量供貨體現了我們產品的卓越性能。”卓勝微電子總經理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產品的創新和品質有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。”
卓勝微電子的GPS
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卓勝微電子 CMOS
2014年5月5日，作為專注在WiFi，藍牙，GPS連接性射頻芯片技術供應商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。
“卓勝微電子的GPSLNA產品能夠給三星大批量供貨體現了我們產品的卓越性能。”卓勝微電子總經理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產品的創新和品質有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。”
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GPSLNA 卓勝 RF CMOS
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