- 摘要：本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優點、問題及應對措施，以及CMOS圖像傳感器的市場狀況和一些...
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CMOS 圖像傳感器 電信號
- 過去，由于缺乏低成本系統部件，或因全息多路技術過于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數據存儲產品的開...
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CMOS 成像器 全息數據檢索
- 擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業界標準兼容封裝尺寸內的可配置輸出，從而節省通信、網絡、存儲、工業和FPGA等應用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
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IDT MEMS振蕩器 CMOS
- 全球無線通訊及數字多媒體IC設計領導廠商聯發科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ，日前宣布與CMOS影像傳感器領先品牌美國豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作，于其最新雙核及四核智能手機解決方案打造帶有畫中畫、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機功能的手機參考設計。
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聯發 豪威 智能手機 CMOS
- 最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進的制造工藝還實現了更低的成本。此外，創新架構也正在給電路設計帶來更大的靈活性和通用性。 其結果是，
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圖像 傳感器 CCD CMOS 新一 最新
- 所有MOS集成電路（包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路）都有一層絕緣柵，以防止電壓...
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MOS集成電路 CMOS NMOS
- 隨著計算機科學和自動控制技術的發展，越來越多的不同種類的智能機器人出現在工廠、生活當中，機器人視覺系 ...
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CMOS 智能機器人 視覺系統
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該里程碑有助于加速對FinFET技術的采用，以實現更快和更高能效的系統級芯片(SoC)
該合作為3D器件建模和物理設計規則支持奠定了基礎
測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的成功采用
為芯片和電子系統加速創新提供軟件、知識產權(IP)及服務的全球性領先供應商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現了一個關鍵
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Synopsys FinFET
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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羅姆 RF-CMOS HEMS 特定小功率無線模塊
- 三星21日宣布成功試產第1顆導入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進度領先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。
韓聯社報導，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產出旗下第1顆采用FinFET技術的14納米測試芯片。
三星系統芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術可提升電子裝置效能并降低耗電量，進一步改善行動環境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構
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三星 FinFET 14納米
- 中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術研發領域取得突破性進展，首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質量的清晰圖像。這標志著中芯國際自主開發的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術接近成熟，步入產業化階段，更好地滿足高端智能移動終端的需要。該技術將于2013年與客戶伙伴進行試產。
背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術開發的成功，有助于中芯國際進一步拓展晶圓代工業務，支持國內外客戶500萬像素以上高分辨率智能手機用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
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中芯國際 傳感芯片 CMOS
- 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際"，紐約證交所代碼：SMI，香港聯交所代碼：981)，中國規模最大、技術最先進的集成電路代工廠，日前宣布在背照式 CMOS 成像傳感技術研發領域取得突破性進展，首款背照式 CMOS 成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質量的清晰圖像。
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中芯國際 CMOS
- 摘要：給出了一種結構簡單的低功耗振蕩器電路的設計方法，該電路由RC充放電回路、偏置電路組成。與傳統振蕩器電路相比，該電路具有精度高、電路結構簡單以及輸出占空比可調等優點。采用0．35 mu;m BCD工藝并利用Cad
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振蕩器電路 低功耗 RC振蕩器 CMOS
- 摘要：為了應對低功耗電路設計要求，提出了一個在低功耗要求下CMOS低噪聲放大器的設計方法。使用該方法在0.18μm CMOS集成工藝下，設計一款低噪聲放大器，并在ADS中進行前仿真。
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CMOS 放大器 LNA 201212
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