- 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?
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Vishay CMOS 導通電阻
- 新計劃的第1階段將在3個相關又有所區別的領域支持6個探索性的項目：第1個領域是細胞形態-半導體電路設計領域，將從細胞生物學獲得的經驗應用到新型芯片體系結構中，反之亦然;第2個領域是生物電子傳感器、執行器和能源領域，專門支持半導體生物混合系統;第3個領域是分子級精確增材制造領域，將在受生物啟發的數納米級尺度上開發制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導未來多代半導體合成生物技術研究。半導體研究聯盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。-
麻省理工學院的RahulSarpe
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半導體 CMOS
- 該前置放大器采用了改良后的RGC結構作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結果表明：在光探測器結電容 ...
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RGC CMOS 前置放大器
- 設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源 ...
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增益 高速 CMOS 運算放大器
- MCS-51內部都有一個反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
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CMOS 單片機 時鐘電路
- 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實用的好產品。
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新日本 CMOS 無線網絡
- 目前，在設計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中，要根據需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設計達到最優。
1CMOS集成電路的性能及特點
1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管，且都是互補結構，工作時兩個串聯的場效應管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態，電路靜態功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。
1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
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CMOS 電阻
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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CMOS LCVCO 電感 射頻開關 PVT 鎖相環
- Mentor Graphics公司(納斯達克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統的16納米設計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設計(DFM)平臺。
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Mentor FinFET
- 隨著上海自貿區掛牌時間的臨近，本周自貿熱卷土重來：龍頭股外高橋及陸家嘴連續收出兩個漲停板，且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前，市場人士就已獲悉，允許國外企業在華銷售游戲機將是上海自貿區藍圖的一部分;本月23日晚間，百視通發布的與微軟在上海自貿區組建合資公司的公告，更是令自貿區相關游戲機概念的炒作熱潮一觸即發，百視通昨日就強勢漲停。
分析人士表示，百視通與微軟在上海自貿區設立合資公司的舉措表明，實行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿區正式終結;在此背景下，預計與游戲機生產相關的軟硬件公司，如水晶光電
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紅外LED CMOS
- 銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應鏈。之所以這樣說，是因為除了移動產品用處理器和內存外，其他CMOS半導體也需要在比現在更小的芯片面積上實現更多的I/O個數以及更高的帶寬，并采取更好的散熱措施。
目前全球倒裝芯片市場規模為200億美元，以年增長率為9%計算，到2018年將達到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中，銅柱凸點式封裝的年增長率將達到19%。到2014年，已形成凸點的晶圓中將有50%使用銅柱凸點，從數量上來說，銅柱凸點式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。
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CMOS 倒裝芯片
- FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創新設計，變革了傳統晶體管結構，其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，將原來的單側控制電路接通與斷開變革為兩側。
FinFET這樣創新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產生重要影響與變革。FinFET技術升溫，使得半導體業戰火重燃，尤其是以Fi
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FinFET 半導體制造
- 半導體業界已發展出運用FinFET的半導體制造技術，對制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產生極大變化。特別是IDM業者與晶圓代工廠正競相加碼研發以FinFET生產應用處理器的技術，促使市場競爭態勢急速升溫。
過去數10年來，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產品的主要建構材料，電晶體幾何結構則一代比一代小，因此能開發出高效能且更便宜的半導體晶片。
然而，電晶體在空間上的線性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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半導體 FinFET
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