來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(Chalmers University of Technology)的研究人員發現，以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(TSV)連結的 3D芯片堆棧，效果會比銅來得更好。
TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會導致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。
「碳納米管的許多特性都優于銅，包括熱
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TSV芯片 CMOS
Crocus科技，領先的強化磁性半導體技術開發商，和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)，中國內地最大最先進的集成電路晶圓代工企業，今天宣布，正式簽署合作技術開發和晶圓制造協議。根據協議，兩家公司將共同開發針對汽車應用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術。中芯國際將制造和供應基于CMOS先進技術節點的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進磁性生產設備上做進一步加工。
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中芯國際 半導體 CMOS
面向全球最受歡迎的消費電子制造商提供CMOS成像解決方案的領先提供商Aptina今天宣布推出AS0260 SOC(片上系統)成像解決方案。這一200萬像素的原裝1080p SOC可提供出色的性能并能滿足以視頻為中心的消費電子市場中超薄全高清視頻應用嚴格的尺寸要求(z-高度不超過3.5mm)。
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Aptina CMOS SOC
焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應管。
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CMOS 場效應管 集成電路 焊接
1.2 PMOS的變容管連接及其壓控特性分析 圖2為PMOS管連接成壓控可變電容的示意圖。具體是將漏、源和襯 ...
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CMOS PMOS
半導體行業網站Chipworks于近日對尼康新出品的微單相機V1做了非常詳細而且徹底的拆解，在這次拆解過程中我們也發現了不少秘密，首當其沖的就是主CMOS上發現了Aptina的痕跡。Aptina是美國半導體企業鎂光旗下的感光元件生產廠商，也推出過APS-C規格的16M像素CMOS。這也是首次明確發現尼康與Aptina合作，還是讓我們先來看看圖片吧！
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尼康 V1 CMOS
致力于開發可微縮低功耗CMOS技術的公司SuVolta今日在2011年IEDM會議上發布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術細節。SuVolta的DDC技術是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺的組成部分。該低功耗技術已向業界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進的電壓降低手段，DDC技術甚至可以降低功耗達百分之八十或更多。
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SuVolta CMOS
摘要 分析了以動態閾值NMOS晶體管作為輸入信號的輸入晶體管，利用4個動態閾值NMOS和2個有源電阻設計和實現的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節省輸入晶體管數目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標
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模擬 法器 CMOS 2V 動態 NMOS 基于
利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzW ...
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共源 共柵 CMOS 功率放大器
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現光電轉換后，以電荷的方
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傳感器 圖像 CCD CMOS
半導體行業從一開始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當前的掌上電腦(PocketPC)比占地整整一幢樓...
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CMOS TTL 電源供電
摘要：針對CMOS集成電路的故障檢測，提出了一種簡單的IDDQ靜態電流測試方法，并對測試電路進行了設計。所設計的IDDQ電流測試電路對CMOS被測電路進行檢測，通過觀察測試電路輸出的高低電平可知被測電路是否存在物理缺
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電路設計 測試 IDDQ 電路 CMOS
電子技術的電控電路常采用CMOS邏輯控制系統，通過多年的維修實踐，我們自行設計和安裝了簡易集成邏輯門電...
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CMOS 集成電路 測試儀
摘要：為了滿足深亞微米級集成電路對低溫漂、低功耗電源電壓的需求，提出了一種在0．25mu;m N阱CMOS工藝下，采用一階溫度補償技術設計的CMOS帶隙基準電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構成，實現了VBE和VT的線性
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研究 電壓 基準 CMOS 低溫
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