cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)

GSA硅片代工價(jià)格Q2下降

　　按全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA經(jīng)過(guò)調(diào)查后的報(bào)道，全球2010年Q2的硅片代工價(jià)格與上個(gè)季度相比下降。　　為了支持與促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，一家非盈利組織GSA的報(bào)告，用于CMOS制造的200mm直徑代工硅片的中間價(jià)格環(huán)比下降9.5%，而同類的300mm硅片代工價(jià)格環(huán)比沒(méi)有改變，每片平均仍為3200美元。　　據(jù)GSA說(shuō)，調(diào)查的參與者也報(bào)道200mm CMOS工藝的掩模價(jià)格下降，在連續(xù)兩個(gè)季度價(jià)格上升之后，環(huán)比中間價(jià)格下降12%。而300mm CMOS工藝的掩模中間價(jià)沒(méi)有改變，而且已連續(xù)達(dá)3個(gè)季度。　　
關(guān)鍵字：硅片 CMOS 200mm

一種CMOS欠壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： CMOS 欠壓保護(hù)

基于計(jì)數(shù)器的隨機(jī)單輸入跳變測(cè)試序列生成

隨著超大規(guī)模集成電路和系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的發(fā)展，集成電路的測(cè)試面臨越來(lái)越多的困難，尤其在測(cè)試模式下的功...
關(guān)鍵字：集成電路測(cè)試內(nèi)建自測(cè)試 CMOS 低功耗測(cè)試矢量跳變

俄羅斯國(guó)企要求政府封殺同類進(jìn)口芯片

　　據(jù)路透社援引俄羅斯當(dāng)?shù)貓?bào)紙的一則報(bào)道稱，俄羅斯一家名為Sistema的公司最近呼吁俄羅斯當(dāng)局禁止其對(duì)手廠商生產(chǎn)的同類IC芯片產(chǎn)品進(jìn)口到俄羅斯市場(chǎng)。Sistema目前與意法半導(dǎo)體公司有合作關(guān)系，雙方正在合作生產(chǎn)90nm制程的電視，GPS,手機(jī)，電子護(hù)照等產(chǎn)品用的IC芯片。這家公司的國(guó)企背景深厚，著名的俄羅斯國(guó)有半導(dǎo)體企業(yè)俄羅斯納米技術(shù)集團(tuán)(Rusnano)便是這家公司的大后臺(tái)之一，目前Rusnano正在全力支持在俄羅斯國(guó)內(nèi)架設(shè)一條90nm制程CMOS產(chǎn)線的項(xiàng)目。據(jù)《俄羅斯日?qǐng)?bào)》報(bào)道，俄羅斯總理普京9月2
關(guān)鍵字： IC芯片 90nm CMOS

基于靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

　　O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對(duì)負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會(huì)導(dǎo)致漏
關(guān)鍵字： CMOS 單相乘法器能量能量回收

佳能展示1.2億像素影像傳感器

　　佳能今天展示了全球最高像素值的CMOS傳感器：1.2億像素的APS-H尺寸產(chǎn)品，它比目前旗艦單反EOS 1D Mark IV的影像傳感器還大7.5倍，可拍攝全幅13280x9184圖像，并可實(shí)現(xiàn)9.5FPS的連拍和1080p視頻的錄制(僅需要用到1/60的有效像素)。這款變態(tài)級(jí)別的傳感器目前似乎還沒(méi)有應(yīng)用到任何產(chǎn)品的計(jì)劃，之前，佳能在2007年展示了5000萬(wàn)像素的傳感器樣本。
關(guān)鍵字：佳能 CMOS 傳感器

用CMOS門電路作微功耗放大電路圖

CMOS數(shù)字集成電路具有輸入阻抗高、低功耗、電源電壓范圍廣以及輸出電壓擺帳大等優(yōu)點(diǎn)。除了在數(shù)字化裝置中廣泛應(yīng)用外，亦可用于線性電路，發(fā)揮它低功耗的特點(diǎn)。
關(guān)鍵字： CMOS 門電路放大電路圖微功耗

傳感器技術(shù)面臨新型突破

　　日前，瑞典皇家科學(xué)院宣布，博伊爾和史密斯因發(fā)明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。CCD圖像傳感器如今已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、攝像機(jī)、掃描儀、工業(yè)領(lǐng)域以及醫(yī)學(xué)設(shè)備中，年出貨量在億顆以上。不過(guò)，隨著照相手機(jī)市場(chǎng)的大規(guī)模增長(zhǎng)，八十年代開(kāi)始出現(xiàn)的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開(kāi)始逐步蠶食數(shù)碼相機(jī)等CCD傳統(tǒng)應(yīng)用市場(chǎng)。　　圖像傳感器領(lǐng)域的這一變化只是傳感器技術(shù)變化的一個(gè)縮影。傳感器技術(shù)的最大特點(diǎn)就是不斷引入多學(xué)科的新技術(shù)發(fā)展新功能，現(xiàn)在，隨著電子、M
關(guān)鍵字：傳感器 CMOS

How to build a simple, interactive digital vol

This application note uses the MAXQ2010 microcontroller
關(guān)鍵字： interactive voltmeter digital simple

一種CMOS綠色模式AC／DC控制器振蕩器電路

摘要：此振蕩器專門針對(duì)恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(dòng)(Frequency Shuffling)技術(shù)。采用電流模脈寬調(diào)制控制方案的電池充電芯片設(shè)計(jì)，鋸齒波信號(hào)的線性度較好，當(dāng)負(fù)載電路減小時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入Burst Mode狀態(tài)提高系統(tǒng)的效
關(guān)鍵字：控制器振蕩器電路 DC AC CMOS 綠色模式一種

解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向

　　摩爾定律在自1965年發(fā)明以來(lái)的45年中，一直引領(lǐng)著世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向?qū)崿F(xiàn)更低的成本、更大的市場(chǎng)、更高的經(jīng)濟(jì)效益前進(jìn)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導(dǎo)出的“IC的集成度約每隔18個(gè)月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織(ITRS)在2005年的技術(shù)路線圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術(shù)路線圖更清晰地展現(xiàn)了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結(jié)合的發(fā)展趨勢(shì)，并認(rèn)為&
關(guān)鍵字：摩爾定律 MEMS CMOS

賽普拉斯推出流水線式全域曝光快門的CMOS圖像傳感器

　　賽普拉斯公司日前宣布，推出一款用于高端機(jī)器視覺(jué)市場(chǎng)的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬(wàn)像素VITA25K傳感器擁有市場(chǎng)上單器件最大的數(shù)據(jù)吞吐能力，并帶有流水線和觸發(fā)式全域快門。該傳感器具有32個(gè)10-bit數(shù)字低壓差分信號(hào)(LVDS)輸出，可以允許圖像數(shù)據(jù)通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)協(xié)議進(jìn)行低功耗、低噪聲傳輸。每個(gè)通道以620Mbps的速率運(yùn)行，從而實(shí)現(xiàn)53幀每秒(fps)的無(wú)畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用的理想選擇，適用于檢驗(yàn)機(jī)、生物檢測(cè)(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統(tǒng)
關(guān)鍵字： Cypress 圖像傳感器 CMOS

瑞薩開(kāi)發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

　　瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時(shí)，以更小的面積實(shí)現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號(hào)：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達(dá)到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認(rèn)了其工作性能。主要用于實(shí)現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。　　在So
關(guān)鍵字：瑞薩電子 SRAM CMOS

Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議共同開(kāi)拓新技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會(huì)SEMATECH和先進(jìn)無(wú)線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進(jìn)CMOS技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進(jìn)入SEMATECH的芯片設(shè)計(jì)公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的研發(fā)項(xiàng)目，共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術(shù)。
關(guān)鍵字： Qualcomm CMOS 芯片設(shè)計(jì)

0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計(jì)

本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開(kāi)環(huán)增益，62°的相位裕度，高達(dá)138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
關(guān)鍵字： CMOS 0.5 um 電流反饋

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cmos digital image sensor介紹

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