cmos digital image sensor 文章
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- 目前，包括移動設備在內的很多多媒體設備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新換代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
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Sensor CMOS 調試 經驗
- 1 引言 集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數字鎖相環結構如圖1 所示
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設計 振蕩器 CMOS
- 制定行業公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作
就像1849年出現的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現了很多新技術、利益和挑戰一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創造巨大財
富的機遇，但是也存在給環境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
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納米 CMOS
- 本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術，能夠對具有快速瞬態充電效應（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。
先進CMOS器件高k柵技術的進展
近年來，高介電常數（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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脈沖 CMOS
- SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權使用SuVolta創新型PowerShrink?低功耗技術。
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SuVolta CMOS
- ?????? 6月9日，應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現有產品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。
NCP4682和NCP4685超低電流穩壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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安森美 CMOS NCP4682
- 基準電壓源可廣泛應用于A/D、D/A轉換器、隨機動態存儲器、閃存以及系統集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
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設計 電壓 基準 CMOS 0.18
- 摘要：設計了一種寬帶軌對軌運算放大器，此運算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關控制來實現輸入級總跨導的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數，采用用折疊式共源共柵結構作為前
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CMOS 運算放大器
- 提出一種應用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設計。該分頻器采用脈沖吞吐結構，可編程計數器和吞脈沖計數器都采用改進的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結構的模擬電路實現，相對于采用數字電路實現降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時，對可編程分頻器中的檢測和置數邏輯做了改進，提高分頻器的工作頻率及穩定性。最后，采用TSMC的0．13／μm CMOS工藝，利用Cadence Spectre工具進行仿真，在4．5 GHz頻率下，該分頻器可實現200～515的分頻比，整個功耗不超過19 mW，版圖面積為106 μ
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可編程 設計 CMOS 合成器 頻率 應用
- 以網絡攝像機為應用背景，闡述了數字CMOS圖像傳感器OV7720芯片的參數、接口和通信協議，結合網絡攝像機的開發環境，詳細介紹了芯片與嵌入式CPU的硬件電路和軟件結構。系統以嵌入式Linux作為操作系統，相機芯片OV7720，OV529對數字視頻進行采集、壓縮編碼并生成MPEG-4碼流。MPEG-4碼流經過AT91SAM7X256控制器外掛的網絡芯片被輸送到PC機。PC機端通過內嵌MPEG-4解壓插件的IE瀏覽器實時瀏覽視頻和控制網絡攝像機的狀態。
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網絡 攝像機 設計 OV7720 傳感器 CMOS 圖像 基于
- 摘要：為解決PWM控制器中輸出電壓與基準電壓的誤差放大問題，設計了一款高增益、寬帶寬、靜態電流小的新型誤差放大器，通過在二級放大器中間增加一級緩沖電路，克服補償電容的前饋效應，同時消除補償電容引入的零點。
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CMOS PWM 誤差放大器
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