【直播】來與ZEISS聊電子質控新時代下的技術
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tsv芯片
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進入tsv芯片技術社區
以碳納米管取代銅 TSV芯片效能更好
來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(Chalmers University of Technology)的研究人員發現,以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(TSV)連結的 3D芯片堆棧,效果會比銅來得更好。 TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統,而非將它們平行排列在電路板上,以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是,目前用以填充硅晶孔洞的銅,卻會導致熱膨脹(thermal expansion)的問題,因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。 「碳納米管的許多特性都優于銅,包括熱
關鍵字:
TSV芯片
CMOS
IBM開發TSV芯片連接技術
計世網消息 IBM公司將用一種相對較新的方式將芯片連接在一起,據IBM公司表示,這將有助于提高系統性能并降低能耗量。 這一被稱為TSV(通過硅芯片過程)的技術利用數以千計的導線將不同的諸如處理器和內存,或者兩個芯片中不同內核的組件連接起來。而在當前,芯片主要是通過被稱為總線的“通道”傳輸數據,總線有時會發生擁擠和堵塞等現象。而采用TSV技術,芯片每秒種能夠以一種更為節能的方式傳輸更多的數據。 IBM公司并不是第一家開始談論TSV的公司,第一家開始談論TSV的應該是英特爾公司,但IBM
關鍵字:
IBM
TSV芯片
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消費電子
消費電子
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tsv芯片介紹
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