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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

        cmos digital image sensor 文章 進入cmos digital image sensor技術社區

        基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅動電路設計

        • Verilog HDL語言是IEEE標準的用于邏輯設計的硬件描述語言,具有廣泛的邏輯綜合工具支持,簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器,給出使用Verilog HDL語言設計的邏輯驅動電路和仿真結果。
        • 關鍵字: 驅動  電路設計  敏感  圖像  VerilogHDL  CMOS  基于  

        江陰全力打造新傳感器產業園區

        •   新傳感器產業作為近兩年來逐漸升溫的新興產業之一,不斷吸引著各方的眼球。作為信息通信產業的前沿領域和最新方向,新傳感器產業是“感知中國”、“智慧地球”的基石,在當前更被賦予了全新內涵,蘊藏著巨大機遇。在搶抓發展的大潮中,敢為人先的江陰人當然不會放過這一極好的發展良機。   
        • 關鍵字: CMOS  傳感器  

        基于Zigbee的CMOS無線射頻芯片的設計考慮

        • 本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發器(適用于Zigbee標準,RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應用規范)為例,介紹超低功率CMOS無線射頻芯片的設計概要,從電路設計到系統觀點,說明芯片設計和應用過程中需要考
        • 關鍵字: 芯片  設計  考慮  射頻  無線  Zigbee  CMOS  基于  

        Silicon Laboratories推出業界最具頻率彈性可在線編程CMOS時鐘發生器

        •   高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司)今日發表業界最具頻率彈性可在線編程的CMOS時鐘發生器。新推出的8路時鐘發生器Si5350/51內置壓控石英晶體振蕩器(VCXO),能以單一時鐘IC取代傳統的多器件鎖相環(PLL)解決方案,與其他時鐘產品相比,Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性,且可分別降低70%的抖動和30%的功耗。
        • 關鍵字: 芯科實驗室  CMOS  時鐘發生器  Si5350/51  

        如何建立一個小型獨立報警電路的CMOS

        • 如何建立一個小型獨立報警電路的CMOS  說明  這是一種小型獨立報警電路的選擇。每個警報的主要特點是線路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機電流。因此,他們非常適合電池供電。每個電路對將打印出一張A4紙。
        • 關鍵字: 報警  電路  CMOS  獨立  小型  建立  一個  如何  

        如何建立一個CMOS 4060防盜報警器

        •  如何建立一個CMOS 4060防盜報警器  說明  這是一個區域報警 - 自動出入和警笛截止定時器。這將容納所有的常閉輸入設備一般類型 - 例如磁簧觸點 - 鋁箔膠帶 - PIRs等,但它很容易添加一個常開觸發。示意圖  當
        • 關鍵字: 防盜報警  CMOS  一個  建立  如何  

        如何建立一個更簡單的CMOS單防區報警

        •  如何建立一個更簡單的CMOS單防區報警器說明  這是一個簡單的單區防盜報警電路。它的功能包括自動出入境延誤和定時貝爾/警報器停產。它的設計是與常閉類型的輸入設備的正常使用,例如 - 磁簧聯系方式 - 微動開關
        • 關鍵字: 防區  報警  CMOS  簡單  建立  一個  如何  

        如何構建基于一個CMOS單防區報警器

        •  如何構建基于一個CMOS單防區報警器  說明  該電路具有自動出入延誤 - 計時鐘切斷 - 和系統重置。它為常開和常閉開關提供 - 并將滿足通常的輸入設備(壓力墊,磁簧接觸,鋁箔膠帶,PIRs和慣性傳感器)。  如果綠
        • 關鍵字: 防區  報警器  CMOS  一個  構建  基于  如何  

        采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

        • 這個測試儀的基礎是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器(圖一)。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益,這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低,甚至是很小的信
        • 關鍵字: CMOS  電感測試儀  方案    

        一種新型高精度CMOS帶隙基準源的設計

        • 提出一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源,工作電壓為5~10 V。利用飽和態MOS管的等效電阻特性,對PTAT基準電流進行動態電流反饋補償,設計了一種輸出電壓為1.3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數在-25~+120℃范圍的溫度系數為7.427pp-m/℃,在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0.022 mm2,適用于低壓差線性穩壓囂等領域。
        • 關鍵字: CMOS  高精度  帶隙基準源    

        全新APS C格式1600萬像素圖像傳感器進入數碼單反相機市場

        •   CMOS成像技術的領先創新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設計令該產品可實現專業攝影師所要求的高畫質,除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態圖像以外,新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動態響應(DR)像素技術創新(稱為Aptina DR-Pix技術),新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR),而無需犧牲高亮度環境中的表現。高亮度下的最大信噪比可達
        • 關鍵字: 圖像傳感器  CMOS  

        CMOS技術將迎來轉折點 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡

        •   邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的制造技術發生巨變之后,估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。   元件材料及曝光技術也會出現轉折   “估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
        • 關鍵字: CMOS  15nm  立體晶體管  

        基于CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路的設計

        •   本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術,設計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對其各單元組成電路的設計進行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進行了仿真模擬,結果表明,鋸
        • 關鍵字: CMOS  工藝  鋸齒波  振蕩電路    

        數字式CMOS攝像頭在智能車中的應用

        • 摘要:介紹數字式CMOS攝像頭MT9M011的工作方式;提出MT9M011在基于HCSl2單片機的智能車控制系統中的應用方案,針對采集圖像時遇到的問題給出了相應的解決方法;分析數字式CMOS攝像頭相對于模擬攝像頭的優勢和不足。
        • 關鍵字: 車中  應用  智能  攝像頭  CMOS  數字式  

        Aptina推出8MP完備相機解決方案

        •   CMOS成像技術的領先創新者Aptina宣布推出其新款功能豐富的8MP CCS8140成像解決方案。CCS8140解決方案利用公司在像素、處理和封裝方面的創新技術,將高品質MT9E013 8MP CMOS影像傳感器與Aptina™ MT9E311成像協處理器完美結合,同時其各方面的處理速度保持在與獨立影像處理器類似的水平。經全面調節的Aptina CCS8140整套相機解決方案可提供一流的影像品質,同時僅需極少的調節和傳感器調整即可完成最終產品設計。該解決方案不僅可以為移動手持設備OEM和
        • 關鍵字: Aptina  CMOS  CCS8140  
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        cmos digital image sensor介紹

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