finfet+ 文章 最新資訊
Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發(fā)展
- 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資,由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投,技術合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認為,新一輪融資表明投資者和行業(yè)領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術的市場潛力充滿信心,因為它正在從以技術為中心的創(chuàng)新者轉變?yōu)楫a品驅動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 (MIT) 的研究人員于 2012
- 關鍵字: Finwave 短期投資 GaN FinFET
“最后也是最好的FINFET節(jié)點”
- 在該公司的北美技術研討會上,臺積電業(yè)務發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體,創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源。“我們的目標是讓集成芯片性能成為一個平臺,”Zhang 說。 截至目前,可用或計劃中 N3 變體是:N3B:基準 3nm 工藝。N3E:成本優(yōu)化的版本,具有更少的 EUV 層數(shù),并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3,但具有更好的良率。N3P:N3E 的增強版本,在相
- 關鍵字: FINFET TSMC
臺積電2nm馬上量產:工廠火力全開 蘋果首發(fā)
- 3月31日消息,據(jù)媒體報道,位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產基地,預計今年下半年正式進入全面量產階段。在前期試產中,臺積電已經(jīng)做到了高達60%的良率表現(xiàn),待兩大工廠同步投產之后,月產能將攀升至5萬片晶圓,最大設計產能更可達8萬片。與此同時,市場對2nm芯片的需求持續(xù)高漲,最新報告顯示,僅2025年第三、四季度,臺積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營收,這一數(shù)字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶,蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者,預計iP
- 關鍵字: 臺積電 2nm 量產 蘋果首發(fā) 晶圓 GAAFET架構 3nm FinFET
Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片
- 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet(FF)技術為音頻IP提供完整解決方案的產品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積,為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過加快產品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產品設計,堅定客戶對Dolphin Design產品的信心,再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業(yè)領先地位。2024年2月22日,法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產權(IP)以及ASIC設計的行業(yè)領先供應商Dolphin De
- 關鍵字: Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片
晶體管進入納米片時代
- 3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發(fā)展路線圖至關重要。
- 關鍵字: FinFET
IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖:FinFET將于3nm到達盡頭

- 近日,比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖,分享對應晶體管架構研究和開發(fā)計劃。外媒報導,IMEC制程藍圖顯示,F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達盡頭,然后過渡到Gate All Around(GAA)技術,預計2024年進入量產,之后還有FSFET和CFET等技術。△Source:IMEC隨著時間發(fā)展,轉移到更小的制程節(jié)點會越來越貴,原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景,包括芯片分解至更小,將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元,然后以3D排列堆疊至其
- 關鍵字: IMEC 1nm 制程 FinFET
ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI

- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄,將在意法半導體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節(jié)點,包括FD-SOI。ST和GF預計,該晶圓廠將于2024年開始生產芯片,到2026年將達到滿負荷生產,每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles,距離意大利邊境不遠,長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看,F(xiàn)D-SOI是一種技術含量較低的方法,可以實現(xiàn)FinF
- 關鍵字: FD-SOI GAAFET FinFET
Intel 4制程技術細節(jié)曝光 具備高效能運算先進FinFET

- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會,公布Intel 4制程的技術細節(jié)。相較于Intel 7,Intel 4于相同功耗提升20%以上的效能,高效能組件庫(library cell)的密度則是2倍,同時達成兩項關鍵目標:它滿足開發(fā)中產品的需求,包括PC客戶端的Meteor Lake,并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節(jié)。對于英特爾的4年之路,Intel 4是如何達成這些效能數(shù)據(jù)? Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸(Critic
- 關鍵字: Intel 4 制程技術 FinFET Meteor Lake
5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進節(jié)點上,兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中,使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案,運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法,以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優(yōu)化先進節(jié)點FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
- 關鍵字: 泛林 5nm FinFET
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