- 一直在先進制程晶圓代工技術領域與臺積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術的商業化量產邏輯制程。
香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻所有臺積電訂單的近兩成，到2017年之后會將大多數10/14奈米訂單轉往三星：“三星會是未來高通14奈米晶片與數據
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三星 FinFET
- 盡管GPU(繪圖處理器)市場剩下AMD與NVIDIA兩大供應商，但在先進技術的投入上，仍然沒有手軟過。
AMD的GPU主力產品Radeon系列，在去年推出導入HBM(高頻寬記憶體)技術后，引來市場關注。AMD又在今天發布Radeon新一代的產品Polaris架構，采用14奈米FinFET制程，目前已經送樣給主要的OEM客戶，預計在今年年中進入量產時程，該產品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實境)與桌上型電腦等領域。
據AMD資深副總裁Raja Koduri公開表示，Polaris架構有別于過往
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AMD FinFET
- DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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半導體 FinFET
- 最近，關于iPhone6s A9處理器版本的事情的話題很熱，最后都鬧到蘋果不得不出來解釋的地步，先不評判蘋果一再強調的整機綜合續航差2~3%的準確性，但是三星14nm工藝相比臺積電16nm工藝較差已經可以說是板上釘釘的事了。
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A9處理器 臺積電 三星 Finfet
- Intel曾經自己高調宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導體企業紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領世界。
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Intel FinFET 14nm
- 這一年來半導體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?為什么讓這么多國際大廠趨之若騖呢?
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FinFET ARM
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯網和穿戴式裝置發展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發相關的蝕刻機臺和磊晶技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著先進制程發展，該公司產品開發有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
- 這么多年，新工藝一直是AMD的痛點。早年自己生產進展跟不上，現在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，臺積電都跑去抱蘋果的大腿了，導致其CPU還是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。
不過在昨日的財務會議上，AMDCEOLisaSu興奮地透露，其首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經完成了流片，進展順利，接下來就可以去投產了。
她并沒有說具體是哪兩款產品(估計會是新架構ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是誰，臺積電16nm、GF14nm都有
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AMD FinFET
- 自去年國家集成電路產業投資基金(以下簡稱大基金)成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務。正是因為“手握重金”，坊間對于大基金的傳言不絕于耳。更有業者擔心大基金的投資會不會遍地開花，甚至會毀了中國整個集成電路產業。據最接近大基金的業內資深人士透露，這個擔心是多余的，大基金的“國家戰略+市場化運營”的機制以及股權投資基金業的游戲規則決定了它不會這么干!
市場上的私募股權投資基金不勝枚舉，大基金之所以吸引眼球，無非是它有了
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集成電路 FinFET
- 美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。
FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
- GLOBALFOUNDRIES，世界先進半導體制造技術的領導者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術而開發的強化過的設計架構，在幫助那些采用先進工藝技術設計的客戶的進程上達到了一個關鍵里程碑。
GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開發出的新型設計流程，實現了從RTL到GDS的轉換。該流程包括了基于工藝技術的PDK和早期試用標準單元庫，形成一個數字設計“入門套件”，為設計人員進行物理實
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GLOBALFOUNDRIES FinFET
- 雖然臺積電仍是全球晶圓代工市場的龍頭大廠，但為牽就蘋果(Apple)這個大客戶，內部壓寶16納米、20納米設備可以大部互通的產能擴充彈性優勢，硬是將16納米FinFET制程技術訂為20納米下一棒的規劃藍圖。
反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術的懷抱后，即便蘋果仍可喂飽臺積電先進制程產能，但臺積電客戶結構從以IC設計公司為主，變成以系統廠獨霸半遍天，加上主要競爭對手也開始爭取到重要
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FinFET 晶圓
- Exynos 7420已經將與英特爾在2014年10月發表第一款14奈米Broadwell 處理器5Y70的差距縮小。
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三星 FinFET
- 亮點：
Galaxy Design Platform設計平臺被用于90%的FinFET設計量產
強勁的平臺采用率彰顯了Synopsys在FinFET數字和定制設計實現工具領域內的領先性
所有的FinFET晶圓代工廠都已經使用并認證了Galaxy Design Platform
新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：其 Galaxy™ Design Platform 設計平臺支撐了90%基于FinFET設計的量產流
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Synopsys Galaxy FinFET
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