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        finfet+ 文章 最新資訊

        應用材料公司突破導線技術傳統瓶頸

        •   應用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學氣相沈積(CVD)系統加入獨特的鈷金屬后,一舉突破導線技術傳統瓶頸,讓“摩爾定律”持續向下進展到20納米。此外,應材的EnduraVentura實體氣相沈積(PVD)系統不但成功協助客戶降低成本,更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。   在強大技術創新突破的支持下,應用材料公司在營運方面也頗有斬獲。應用材料公司臺灣區總裁余定陸表示,拜半導體事業的蓬勃發展與應用材料公司不
        • 關鍵字: 應用材料  FinFET  

        FinFET并非半導體演進最佳選項

        •   在歷史上,半導體產業的成長仰賴制程節點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降,這將會是半導體產業近20~30年來面臨的最嚴重挑戰。   具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate,HKMG) CMOS制程,與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體,不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節點,難以維持高參數良率(parametric yields)以及低
        • 關鍵字: FinFET  半導體  

        FinFET并非半導體演進最佳選項

        •   在歷史上,半導體產業的成長仰賴制程節點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降,這將會是半導體產業近20~30年來面臨的最嚴重挑戰。   具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate,HKMG) CMOS制程,與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體,不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節點,難以維持高參數良率(parametric yields)以
        • 關鍵字: FinFET  半導體  

        Cadence物理驗證系統通過FinFET制程認證

        •   重點:  ·?認證確保精確性方面不受影響,并包含用于65納米至14納米FinFET制程的物理驗證簽收的先進技術  ·?雙方共同的客戶可通過它與Cadence?Virtuoso及Encounter平臺的無縫集成進行版圖設計和驗證版圖  全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司今天宣布Cadence??Physical?Verification?System?(PVS)通過了GLOBALFOUNDRIES的認證,可用于65納米
        • 關鍵字: Cadence  FinFET  Virtuoso  Encounte  

        下一代晶體管技術何去何從

        •   大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝,它會持續多久和為什么要替代他們?   在近期內,從先進的芯片工藝路線圖中看已經相當清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術或者另一種FD SOI工藝的平面技術,有望可縮小到10nm節點。但是到7nm及以下時,目前的CMOS工藝路線圖已經不十分清晰。   半導體業已經探索了一些下一代晶體管技術的候選者。例如在7nm時,采用高遷移率的FinFET,及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后,到5nm時,可能會有兩種技術,其中一種是環柵F
        • 關鍵字: 晶體管  FinFET  

        半導體工藝向14/16nm FINFET大步前進

        • 幾乎所有繼續依靠先進半導體工藝來帶給自己芯片性能與功耗競爭優勢的廠商,紛紛將自己的設計瞄準了即將全面量產的FINFET技術。在這一市場需求推動下,似乎20nm這一代,成為很多代工廠眼中的雞肋,巴不得直接跨越20nm,直奔16/14nm的FINFET。
        • 關鍵字: TSMC  FINFET  智能手機  201401  

        SoC系統開發:FinFET在系統級意味著什么

        • FinFET給芯片設計業帶來的改變幾乎是革命性的,帶來了各種新的要求,同時也推動了各種創新。
        • 關鍵字: SoC  FinFET  

        SoC系統開發:FinFET在系統級意味著什么

        •   大家都在談論FinFET——可以說,這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人,都認為20nm節點以后,FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言,其未來會怎樣呢?   回答這一問題最好的方法應該是說清楚FinFET對于模擬和數字電路設計人員以及SoC設計人員究竟意味著什么。從這些信息中,我們可以推斷出FinFET在系統級意味著什么。
        • 關鍵字: SoC  FinFET  

        Synopsys力挺臺積電16納米FinFET

        •   全球IC矽智財供應商新思科技(Synopsys)力挺臺積電的16納米FinFET(鰭式場效晶體管),全力協助臺積電加入導入這項新制程量產行列。   新思科技是「臺積電大同盟」成員之一,昨天也宣布獲臺積電頒發開放創創新平臺(OIP)「2013年度最佳伙伴獎」,以表彰對臺積電先進制程的貢獻。   臺積電16納米FinFET制程,是對抗英特爾及三星等勁敵的重要技術,臺積電將以大同盟的陣營,聯合IP、自動化工具、設備及芯片設計業的力量應戰。臺積電16納米預定明年第4季試產,2015年第1季量產。
        • 關鍵字: Synopsys  FinFET  

        先進制程競賽Xilinx首重整合價值

        •   由于ASIC的研發成本居高不下,加上近來FPGA不斷整合更多的功能,同時也突破了過往功耗過高的問題,尤其當進入28奈米制程之后,其性價比開始逼近ASSP與ASIC,促使FPGA開始取代部分ASIC市場,應用范圍也逐步擴張。   附圖: Xilinx揭露未來市場競爭狀況。 資料來源:Xilinx   掌握這樣的趨勢,讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產品營收持續成長。 Xilinx企業策略與行銷資深副總裁Steve Glaser指出,預估今年在28奈米產品線將會有1億美元的營收,市占率高
        • 關鍵字: Xilinx  FinFET  

        新開發FinFET整合III-V族與矽材料

        •   比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續微縮CMOS至7nm及其以下,以及實現混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。   隨著晶片微縮即將接近原子級的限制,業界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料,例如可提供更高載子速度與更高驅動電流的III-V族電晶體通道,這種新的化合物半導體可望超越矽晶本身性能,持續微縮至更制程。  
        • 關鍵字: FinFET  矽材料  

        Mentor工具被納入臺積電16納米FinFET制程技術參考流程

        • Mentor Graphics公司(納斯達克代碼:MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能,用于Olympus-SoC?布局與布線系統的16納米設計,以及Calibre?物理驗證和可制造性設計(DFM)平臺。
        • 關鍵字: Mentor  FinFET  

        FinFET新技術對半導體制造產業的影響

        •   FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創新設計,變革了傳統晶體管結構,其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構,將原來的單側控制電路接通與斷開變革為兩側。   FinFET這樣創新設計的意義,在于改善了電路控制并減少漏電流,縮短了晶體管的閘長,對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產生重要影響與變革。FinFET技術升溫,使得半導體業戰火重燃,尤其是以Fi
        • 關鍵字: FinFET  半導體制造  

        FinFET引爆投資熱 半導體業啟動新一輪競賽

        •   半導體業界已發展出運用FinFET的半導體制造技術,對制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產生極大變化。特別是IDM業者與晶圓代工廠正競相加碼研發以FinFET生產應用處理器的技術,促使市場競爭態勢急速升溫。   過去數10年來,互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產品的主要建構材料,電晶體幾何結構則一代比一代小,因此能開發出高效能且更便宜的半導體晶片。   然而,電晶體在空間上的線性微縮已達極限,電晶體縮小到20奈米(nm)以下,會降低通道閘極控制效果,造成汲極(Dr
        • 關鍵字: 半導體  FinFET  

        專家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰

        •   日前,SeMind舉辦了圓桌論壇,邀請半導體設計與制造的專家齊聚一堂,共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰,專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術架構副總裁Kengeri SUBRAMANI ,Soitec公司首席技術官Carlos Mazure,Intermolecular半導體事業部高級副總裁兼總經理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。   SMD :從你們的角度來看,工藝升級短期內的挑戰是什么?   Kengeri :眼下,我們正在談論的28nm到2
        • 關鍵字: FinFET  3D  
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