- 北京大學團隊研發(fā)出全球首款二維 GAAFET 晶體管，以鉍材料突破接觸電阻量子極限，開啟后摩爾時代。這項成果在《自然》發(fā)表，實測性能超越國際巨頭，二維堆疊技術使中國半導體站上 1 納米制程競爭最前沿。近年來，隨著半導體行業(yè)的不斷發(fā)展，摩爾定律逐漸失效，使得人們越來越難以改進芯片制造工藝。許多人認為全環(huán)繞柵極（GAA）架構工藝推動了芯片工藝的發(fā)展。后摩爾定律時期，AI 芯片又如何發(fā)展？如何走向 GAAFET在 GAA 之前，半導體制造工藝主要經歷了兩個重要時期：平面場效應晶體管（PlanarFET）和鰭式場
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GAAFET
- 北京大學正大步邁入后硅時代與埃米級（?ngstr?m）半導體領域。該校研究團隊近日在《自然》雜志發(fā)表論文，宣布成功研制全球首顆二維低功耗全環(huán)繞柵場效應晶體管（GAAFET），這項由彭海林教授、邱晨光教授領銜的跨學科成果，被團隊成員稱為 "里程碑式突破"。 彭海琳團隊合影（右一為彭海琳）技術核心：從 "硅基捷徑" 到 "二維換道"北大團隊制備出論文所述的 "晶圓級多層堆疊單晶二維全環(huán)繞柵結構"。何為二維環(huán)柵晶體管？顧名
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北京大學 GAAFET 全環(huán)繞柵場效應晶體管 芯片設計
- 通用互連的Chiplet要真正實現可能還需要幾年時間，但不管怎樣，這代表了未來芯片發(fā)展的一個方向 半導體產業(yè)鏈全線上漲之際，Chiplet概念引發(fā)市場熱議?！ ?月9日，Chiplet概念股在尾盤階段經歷資金的明顯回流，板塊個股中，大港股份(002077)已經歷六連板，通富微電(002156)三連板，深科達當天漲幅超10%，蘇州固锝(002079)、文一科技(600520)、氣派科技漲停，芯原股份、晶方科技(603005)、寒武紀、中京電子(002579)漲超5%。 Chiplet并不是一個新鮮的
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Chiplet GAAFET
- 美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場效應晶體管）？數字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm，這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面結構，溝槽寬度越小，漏極到源極距離越小，載流子流動跨越溝道導通時間減小，工作頻率越高；同時，溝道完全開通所加柵極電壓越低，開關損耗越低；而且，溝道導通電阻降低，導通損
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GAAFET EDA
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠旁邊新建一座聯合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節(jié)點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產芯片，到2026年將達到滿負荷生產，每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，FD-SOI是一種技術含量較低的方法，可以實現FinF
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FD-SOI GAAFET FinFET
- 美國試圖鎖死中國下一代芯片技術注意，這里說的是下一代，是下一代！與現在的EDA軟件無關，這項EDA軟件的禁令只是針對GAA架構制程，這項工藝目前只有三星利用在了3nm的芯片生產上，而不出意外的話，臺積電也會在今年量產同代的芯。中國目前的最先進的工藝來自中芯國際，中芯在前不久被發(fā)現“偷偷”用DUV光刻機實現了7nm工藝的量產。但即使進步如此神速，中芯國際和三星、臺積電之間，至少還隔著一個7nm+（EUV版的7nm工藝）、5nm兩代，對中芯來說，GAA至少是下下代才用到的東西，而目前中芯連7nm+的可能性都看
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EDA GAAFET
- 來源：金融界 新材料｜產業(yè)鏈限制再加碼，關注半導體材料國產化 近期美國對半導體產業(yè)鏈限制持續(xù)加碼，凸顯半導體國產化急迫性，短期看，在自主可控邏輯下，供應體系中的材料龍頭企業(yè)有望充分受益，加速其在國內晶圓廠的產品導入速度，提升市占率。中長期看，半導體材料需求持續(xù)增長，我們看好產業(yè)內技術實力領先，存在放量邏輯，有望充分受益國產化的龍頭公司?！ 〃吤绹鴮π酒a業(yè)鏈限制再加碼，涉及設計軟件及超寬禁帶半導體材料?！ 「鶕摪罟珗螅?月12日，美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布一項臨時最終規(guī)定，對4項“新興和基
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GAAFET EDA 市場分析
- 8月12日，美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布了臨時最終規(guī)則。在規(guī)則中，對四種新興和基礎技術建立了新的出口管制，管制理由是國家安全。im間最終規(guī)則（IFR）指的是聯邦機構發(fā)布的規(guī)則，在發(fā)布后生效，無需首先征求公眾對規(guī)則實質內容的意見。IFR用于緊急情況和其他需要，以幫助加快監(jiān)管流程，快速實施具有約束力的監(jiān)管要求。今后，是否調整將根據效果決定，并有一定的時限。根據一位資深律師的分析，這項暫行最終規(guī)則可以被視為中國的一項暫行規(guī)定。“在這四種技術中，EDA軟件是最受外界關注的一種。該規(guī)則規(guī)定，用于開發(fā)全柵場效
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EDA 美國 GAAFET
- 美國對中國企業(yè)和機構斷供工具軟件有跡可循?！ ?月28日，工作人員在2022全球數字經濟大會展館上介紹運用在交通、金融、能源等領域的人工智能加速芯片及系統。圖/IC photo 文 | 付偉 美國商務部上周五發(fā)布最終規(guī)定，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的EDA（電子設計自動化）軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料；燃氣渦輪發(fā)動機使用的壓力增益燃燒（PGC）等四項技術實施新的出口管制?！ ∠嚓P禁令生效日期為2022年8月15日。 1 為什么
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美國 EDA GAAFET
- 對EDA產業(yè)來說，美國真要玩大棒政策，可能會適得其反，迫使日本、歐洲或者中國的EDA新公司快速搶占市場，嚴重影響三大EDA公司的全球統治力。
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美國EDA GAAFET
- 眾所周知，三星在3nm芯片時，采用了GAAFET晶體管技術，這是相對于FinFET晶體管更先進的技術。GAAFET晶體管技術為何更先進？原因在于GAAFET提供比FinFET更好的靜電特性，在同等尺寸結構下，GAA 的溝道控制能力強化，尺寸可以進一步微縮，同時電壓降低。這就使得GAAFET晶體管，可以密度更高，同時電壓更低，這樣性能更強，功耗降低。雖然目前在3nm技術上，三星使用GAAFET技術，而臺積電使用FinFET技術，但到2nm時，不管是臺積電，還是三星，或者intel都會使用GAAFET技術，因
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GAAFET EDA 三星
- 當地時間8月12日，美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）在《聯邦公報》中披露了一項新增的出口限制臨時最終規(guī)則，涉及先進半導體、渦輪發(fā)動機等領域。該禁令對具有GAAFET（環(huán)繞柵極場效應晶體管）結構的集成電路所必需的EDA/ECAD軟件、以金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料、包括壓力增益燃燒（PGC）在內的四項技術實施了新的出口管制。GAAFET相關EDA軟件EDA/ECAD指的是用于設計、分析、優(yōu)化和驗證集成電路或印刷電路板性能的電子計算機輔助軟件。早在8月3日，芯智訊就報道了“美國將對華斷供GAAFE
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EDA GAAFET
- 韓國媒體表示，韓國三星計劃3年內創(chuàng)建GAAFET技術3納米節(jié)點，成為芯片代工業(yè)界的游戲規(guī)則破壞者，追上全球芯片代工龍頭臺積電?！禕usinessKorea》指出，GAAFET技術是新時代制程，改善半導體晶體管結構，使柵極接觸晶體管所有四面，而不是目前FinFET制程三面，使GAAFET技術生產芯片比FinFET更精確控制電流。市場研究調查機構TrendForce報告指出，2021年第四季臺積電全球芯片代工產業(yè)以高達52.1%市場占有率狠甩韓國三星，為了追上臺積電，三星押注GAAFET技術，并首先用于3納米
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三星 GAAFET 臺積電
gaafet介紹
GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是納米線溝道設計，溝道整個外輪廓都被柵極完全包裹，代表柵極對溝道的控制性更好。相比之下，傳統的FinFET 溝道僅3 面被柵極包圍。GAAFET 架構的晶體管提供比FinFET 更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。這主要表現在同等尺寸結構下，GAA 的溝道控制能力強化，尺寸可以進一步微縮。 [
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