ddr5 dram 文章 最新資訊
DDR4退場，國產(chǎn)CPU面臨小考
- DDR4 漲瘋了。自 5 月初開始，DDR4 持續(xù)漲價。熱門料號如 DDR4 16Gb 3200MHz 價格由 5 月 6 日當(dāng)周的 2.4 美元上漲至本周的 6.4 美元，漲幅超過 160%。甚至，相同內(nèi)存條件下，DDR4 的價格比 DDR5 更貴，形成了少見的「價格倒掛」現(xiàn)象。業(yè)內(nèi)人士評價：「從來沒見過，即將停產(chǎn)的 DDR 內(nèi)存芯片在停產(chǎn)時，價格飆得如此之高。」作為與 CPU 直接交互的存儲介質(zhì)，DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率隨機(jī)存儲器）的技術(shù)規(guī)格直接決定了 CPU 算力的釋放上限
- 關(guān)鍵字： DDR4 DDR5
SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁
- 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM 存儲
內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價格上升，而 PC 內(nèi)存失去動力
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國國家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費(fèi)級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DDR4 DRAM
內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 模塊價格超過 DDR5；關(guān)稅擔(dān)憂可能引發(fā)恐慌性購買
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，DDR4 模塊的價格已經(jīng)超過了 DDR5 模塊的價格。展望未來，短期內(nèi)一個關(guān)鍵的關(guān)注點(diǎn)是新的美國關(guān)稅是否會被實(shí)施——這可能會引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存，由于國家補(bǔ)貼驅(qū)動的早期需求拉動，618 購物節(jié)對 NAND 閃存現(xiàn)貨價格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：現(xiàn)貨市場價格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價格已超過 DDR5 模塊價格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠(yuǎn)比 DDR5
- 關(guān)鍵字： 存儲 DDR4 DDR5 市場分析
歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升，據(jù)報道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利
- 上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價，因為價格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM 存儲
適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成
- 東京科學(xué)研究所在 IEEE電子元件和技術(shù)會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進(jìn)展。“這些新技術(shù)可以幫助滿足高性能計算應(yīng)用的需求，這些應(yīng)用需要高內(nèi)存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結(jié)合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術(shù)，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實(shí)現(xiàn)了 10μm 的
- 關(guān)鍵字： DRAM 處理器 3D堆棧集成
臺灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價，庫存緊張
- 隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價格上漲，據(jù)報道，臺灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報價，這表明供應(yīng)緊張和需求增長，據(jù)經(jīng)濟(jì)日報報道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說，報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，供應(yīng)商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國關(guān)稅變化前加速采購，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價格預(yù)計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價格預(yù)計環(huán)比將上漲
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲 市場分析
DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關(guān)鍵字： 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組
- 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM LSI DRAM 半導(dǎo)體 晶圓代工
DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達(dá)到相對較高的水平，購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
- 關(guān)鍵字： DDR5 DRAM
用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器
- Bourns 開發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù)規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結(jié)構(gòu)制造，可實(shí)現(xiàn)低磁場輻射和納米晶磁芯，以支持高電
- 關(guān)鍵字： DDR5 PMIC 屏蔽式功率電感器
內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格相比 DDR5 產(chǎn)品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與合約市場的情況類似，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格與 DDR5 產(chǎn)品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價格也繼續(xù)逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價格在整個 2Q25
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DDR4 DDR5
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計中
- 存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計的測試芯片預(yù)計將于 2026 年推出
- 關(guān)鍵字： Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價格，DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補(bǔ)充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖牵珽tnews 表示，由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計將在一段時間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM DDR4
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
ddr5 dram相關(guān)帖子
ddr5 dram資料下載
ddr5 dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473