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        適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

        作者: 時間:2025-06-24 來源: 收藏

        東京科學研究所在 IEEE電子元件和技術會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202506/471581.htm

        InstOfScienceTokyo BBCube 華夫餅鑲嵌 3D 堆疊集成

        “這些新技術可以幫助滿足高性能計算應用的需求,這些應用需要高內存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲,”該研究所表示。

        BBCube 結合使用晶圓上晶圓 (WOW) 和晶圓上芯片 (COW) 技術,將堆疊在一堆超薄 芯片上。

        放在頂部有助于散熱,而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發的,而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。

        InstOfScienceTokyo BBCube 3D 堆疊集成

        用于 300mm 晶圓,實現了 10μm 的芯片間距和 <10ms 的安裝時間。

        “在Wafer晶圓上制造了 30,000 多個不同大小的芯片,沒有出現任何芯片脫落故障,”項目研究員 Norio Chujo 說。

        第一篇 ECTC BBCube 改進論文涵蓋了一種名為 DPAS300 的定制粘合劑,該粘合劑針對超薄晶圓的 COW 堆棧中的熱穩定性進行了優化。

        “通過仔細設計化學特性,[這種] 新型膠粘劑材料可用于 COW 和 WOW 工藝,”該研究所說。“它由有機-無機雜化結構組成,在實驗研究中] 表現出明顯的粘合性和耐熱性。”

        第二篇論文描述了改進的配電,在 堆棧和頂部之間添加了嵌入式去耦電容器,在華夫格晶圓上實施了再分配層,并在晶圓通道和 劃線中添加了硅通孔(見圖)。

        “這”將數據傳輸所需的能量降低到傳統系統的五分之一到二十分之一,同時還將電源噪聲抑制到 50mV 以下,“Chujo 說。



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