- 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續發展......
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寬禁帶 半導體 SiC GaN
- 按照業界通常的看法,未來5到10年內,SiC功率器件市場增長機會主要在汽車領域,特別是EV、混合動力車、燃料電池車等電動車應用市場。實際上,在光伏和儲能、驅動、充電樁、UPS領域,SiC都將有高速成長的機會。而且,電源領域將是SiC最大的市場。綜合起來,這幾個市場將會有16%的年復合增長率。脫穎而出更高的工作電壓、更高的效率、更好的散熱性能,都是SiC在電力電子領域的優勢。與傳統的Si材料作對比,SiC的帶隙(BandGap)是其三倍;擊穿場強(MV/cm)上,SiC是2.2,Si為0.3,高出7倍左右;
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功率器件
- 作為 Qorvo 產品的全球授權分銷商，貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產品均可在貿澤官網上在線訂購。Qorvo的Custom MMIC產品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創新解決方案制造商，致力于實現一個萬物互聯的世界。Qorvo最近
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MMIC GaN
- EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場效應晶體管及集成電路的各種先進應用，包括面向人工智能的高功率密度運算應用，面向機械人、無人機及車載應用的激光雷達系統，以及Ｄ類放音頻放大器。宜普電源轉換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個視頻主要分享實用范例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術設計面向人工智能服務器及超薄筆記本電腦的先進?DC/DC轉換器?、
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GaN 音頻放大器
- 日前，宜普電源轉換公司（EPC）依據《氮化鎵晶體管–高效功率轉換器件》第三版教科書的增訂內容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應晶體管及集成電路的理論、設計基礎及應用，例如激光雷達、DC/DC轉換及無線電源等應用。宜普電源轉換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內容是依據最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉換器件》?第三版教科書的內容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
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GaN 播客
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實現更高的效率，適用于高密度工業和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
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GaN UVLO
- 在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
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LDN GaN
- 領先的汽車供應商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰略合作。通過此協議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領域OBC車載充電器、DC-DC 轉換器和動力總成逆變器開發的尖端技術，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術領域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術的領導者，提供高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車行業（尤其是日本）直接合作的成功經驗。獲得這一技術對正在探索電力傳動系統業務
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OBC GaN
- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業界領先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統設計人員帶來提高系統性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業務
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GaN 功率放大器
- 王? 力? （MPS?現場應用工程師?副經理）摘? 要：介紹了無刷直流電機、低壓驅動控制及電機一體化的解決方案。 關鍵詞：無刷直流電機；低壓；電機一體化；功率器件；編碼器無刷直流電機由電動機本體和驅動電路組成，是典 型的機電一體化產品。相比于有刷電機和步進電機，無 刷電機在壽命、小型化、效率、動態性能方面有著明顯 的優勢。隨著無刷電機制 造工藝的日趨成熟，無刷 電機性價比將進一步得到 提升，勢必將得到更廣泛 的應用。特別是在紡織、 醫療等行業，對小型化、 集成化、驅動控制及電機 一體化的低壓直流無刷電 機
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202003 無刷直流電機 低壓 電機一體化 功率器件 編碼器
- 電力電子器件的發展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經有越來越多的半導體企業開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
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碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題。現在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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Nexperia GaN EV逆變器
- 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術已被小米采用，用于旗艦產品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
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小米 GaN 納微半導體
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
- 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發，充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類應用中
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IGBT SiC GaN
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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