- 安森美(onsemi)正在執行其fab-liter制造戰略,最終目標是透過擴大毛利率實現可持續的財務業績。安森美於上周簽署一份最終協議,將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產轉移到其全球制造網絡內更高效的晶圓廠,安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結構。安森美總裁兼首席執行官Hassane
El-Khoury表示:「該擬議的資產剝離表明我們正在實現優化的制造網路,同時為我們的客戶提供長期的供應保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續的就業和發展機
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安森美 晶圓制造廠 GaN
- 1? ?看好哪類GaN功率器件的市場?2020—2021 年硅基氮化鎵(GaN)開關器件的商用化進程和5 年前(編者注:指2016 年)市場的普遍看法已經發生了很大的變化,其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發展的,技術只是眾多因素當中的1 個。我個人看好的未來5 年(編者注:指2022—2027 年)的氮化鎵應用,包括:快充、服務器/ 通信電源、電機驅動、工業電源、音響、無線充電、激光雷達等,其中快充會繼續引領氮化鎵開關器件的市場成長。相對于硅
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202201 GaN 英飛凌
- GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導體材料,以高頻、高壓等為特色。但長期以來,由于工藝、成本等因素制約,GaN還處于Si(硅)和SiC(碳化硅)應用的夾縫之間。在新的一年里,GaN的市場前景將如何?GaN技術和應用有何新突破?為此,本媒體邀請了部分GaN資深企業,介紹一下GaN功率器件的新動向。
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202201 GaN
- GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導體材料,以高頻、高壓等為特色。但是長期以來,在功率電源領域,處于常規的Si(硅)和熱門的SiC(碳化硅)應用夾縫之間。GaN產品的市場前景如何?GaN技術有何新突破?不久前,消費類GaN(氮化鎵)功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片,采用了專利的GaNSense?技術。值此機會,電子產品世界的記者采訪了銷售營運總監李銘釗、高級應用總監黃秀成、高級研發總監徐迎春。圖 從左至右:納微半導體級的高級應用總監黃秀成、銷售營運總監李銘
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GaN 集成 202201
- 10月19日消息,據The Verge報道,蘋果公司向其證實,新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。 與傳統充電器相比,GaN充電器的更小、更輕,同時支持大功率。 此外,蘋果公司還確認,140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準,這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設備充電?! ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現已在蘋果中國官網上架?! ∑渲?,140W USB-C電源適配器的價格為729元,USB-C轉MagSa
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蘋果 電源適配器 GaN 充電器
- 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認,第三代半導體確實具有更多的性能優勢。
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碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG
- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案,不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能,同時還能顯著減少BOM,非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計?! ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝,內部集成
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PI InnoSwitch?3-PD GaN
- TI領先的功率密度、全新架構與高度集成幫助工程師解決企業服務器的設計難題,降低總所有成本
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GAN TI 電源供應器
- TrendForce集邦咨詢表示,2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢研究,GaN功率元件,其主要應用大宗在于消費性產品,至2025年市場規模將達8.5億美元,年復合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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新能源車 GaN 功率元件
- 氮化鎵(GaN)是一種III/V族寬能隙化合物半導體材料,能隙為3.4eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有特性,讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻,亦即相較于同尺寸的硅基組件,GaN可處理更大的負載、效能更高,而且物料清單成本更低。在過去的十多年里,產業專家和分析人士一直在預測,GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件,GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力,這
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ST Exagan GaN
- 注意以下排名企業不分先后:安世半導體(中國)有限公司 江蘇長晶科技有限公司華潤微電子控股有限公司 樂山無線電股份有限公司揚州楊杰電子科技股份有限公司 北京燕東微電子有限公司杭州士蘭微電子股份有限公司 江蘇捷捷微電子股份有限公司吉林華微電子股份有限公司 無錫新潔能股份有限公司以上江蘇長晶科技有限公司已更名為江蘇長晶半導體有限公司,其經營產品不變
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功率器件
- 氮化鎵快充火爆的背后,除了受消費者需求影響,是否還有其他原因?為什么快充會率先用到氮化鎵呢?
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氮化鎵 快充 GaN
- 功率半導體為半導體重要組成,是進行電能(功率)處理的核心器件,用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。根據Yole數據,2019年全球功率半導體市場規模為381億美元,預計到2022年達到426億美元,復合增長率為5.43%,市場空間穩健增長。功率器件是功率半導體的一個重要分支,應用領域極其廣泛,幾乎用于所有電力電子制造業,其中,汽車、工業和消費電子是功率半導體的前三大終端市場。功率器件細分領域中,早期二極管、三極管主要應用于工業和電力系統;晶閘管實現可控性改良;功率MOSFET和IGBT等器件實現
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功率器件
- 日前,TCL科技連發數則公告,釋放出聚焦半導體業務的信號。除了50億元增資TCL華星之外,TCL科技擬出售TCL
金服控股(廣州)集團有限公司(以下簡稱“廣州金服”),而其控股子公司天津中環半導體股份有限公司(以下簡稱“中環半導體”)的全資子公司天津環鑫科技發展有限公司(以下簡稱“天津環鑫”)擬引入TCL
微芯科技(廣東)有限公司(以下簡稱“TCL 微芯”)對天津環鑫增資5.67億元。向TCL實業出售廣州金服100%股權公告顯示,TCL科技近日簽署了《股份轉讓協議》,擬向TCL實業出售廣州金服10
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半導體 TCL科技 功率器件
- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領先的軌道交通設備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司(后簡稱“株洲所”)簽署諒解備忘錄,升級共同運營的聯合設計實驗室,實現更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產品和技術,加速包括軌道交通,電動汽車等方面的應用設計以助力中國新基建關鍵領域建設。合作還將拓展至太陽能和風能等可再生能源方面的應用,以響應中國在2060年實現碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統的快速
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600v氮化鎵(gan)功率器件介紹
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