- 5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發新的工藝、封裝和電路設計技術，從而為您的應用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰。德州儀器 (TI)：與您攜手推動電源進一步發展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內實現更大的功率，從而以更低的系統成本增強系統功能2? ?低 IQ在不影響
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QFN EMI GaN MCM
- 全球電子元器件與開發服務分銷商 e絡盟 新近發布名為《AIoT時代——AIoT發展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業工程師、創客和電子愛好者提供人工智能相關專業知識，助力他們更加順利地進行人工智能應用開發并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學習（ML）和深度學習（DL）之間的關系，并詳細介紹了神經網絡相關技術。書中還向讀者推薦了數款適用于首次進行人工智能物聯網方案開發的優質平臺。人工智能和物聯網將徹底改變人類的工作方式。目前，人工
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TTS STT AIoT CNN RNN GAN
- 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點，包括更低的開關損耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
- 德州儀器(TI)是推動GaN開發和支持系統設計師采用這項新技術的領軍企業。TI基于GaN的電源解決方案和參考設計，致力于幫助系統設計師節省空間、取得更高電源效率及簡化設計流程。TI新穎的解決方案不僅可以優化性能，而且攻克了具有挑戰性的實施問題，使客戶得以設計高能效系統，建設更綠色環保的世界。
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MOSEFT GaN UPS
- 寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
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安世 GaN MOSFET
- 我國正在大力進行新基建，工業物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發展基礎。充電樁、工業物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產品部區域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產品部 區域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業電源市場
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電源 SiC IGBT GaN
- 近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點應用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關設備。 日前，安世半導體MOS業務集團大中華區總監李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯技術，利用高壓GaN配合低壓
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安世半導體 GaN
- 半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯結構并優化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
- 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續發展......
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寬禁帶 半導體 SiC GaN
- 按照業界通常的看法,未來5到10年內,SiC功率器件市場增長機會主要在汽車領域,特別是EV、混合動力車、燃料電池車等電動車應用市場。實際上,在光伏和儲能、驅動、充電樁、UPS領域,SiC都將有高速成長的機會。而且,電源領域將是SiC最大的市場。綜合起來,這幾個市場將會有16%的年復合增長率。脫穎而出更高的工作電壓、更高的效率、更好的散熱性能,都是SiC在電力電子領域的優勢。與傳統的Si材料作對比,SiC的帶隙(BandGap)是其三倍;擊穿場強(MV/cm)上,SiC是2.2,Si為0.3,高出7倍左右;
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功率器件
- 作為 Qorvo 產品的全球授權分銷商，貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產品均可在貿澤官網上在線訂購。Qorvo的Custom MMIC產品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創新解決方案制造商，致力于實現一個萬物互聯的世界。Qorvo最近
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MMIC GaN
- EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場效應晶體管及集成電路的各種先進應用，包括面向人工智能的高功率密度運算應用，面向機械人、無人機及車載應用的激光雷達系統，以及Ｄ類放音頻放大器。宜普電源轉換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個視頻主要分享實用范例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術設計面向人工智能服務器及超薄筆記本電腦的先進?DC/DC轉換器?、
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GaN 音頻放大器
- 日前，宜普電源轉換公司（EPC）依據《氮化鎵晶體管–高效功率轉換器件》第三版教科書的增訂內容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應晶體管及集成電路的理論、設計基礎及應用，例如激光雷達、DC/DC轉換及無線電源等應用。宜普電源轉換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內容是依據最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉換器件》?第三版教科書的內容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
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GaN 播客
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實現更高的效率，適用于高密度工業和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
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GaN UVLO
- 在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
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LDN GaN
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。
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