Nexperia與Ricardo合作開發基于GaN的EV逆變器設計

 

本文引用地址：http://www.104case.com/article/202002/410262.htm奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。

 

GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題。現在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車或純電動汽車中使用的牽引逆變器的首選技術。

 

Nexperia去年推出了一系列已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件，在這一高效技術領域為汽車設計師們提供成熟可靠的器件及不斷擴充的產品組合，從而提供動力系統電氣化所需的功率密度。Ricardo在汽車行業深受好評，這家全球性工程創新公司為汽車行業的概念提供設計和咨詢服務，包括技術原型和演示器的生產，并與McLaren和Bugatti等著名領先品牌合作。對于該項目，Ricardo是Nexperia理想的合作伙伴。

 

Nexperia GaN FET器件的總經理Michael LeGoff表示：“通過將GaN FET器件用于逆變器設計并由Ricardo對逆變器進行試驗，我們能夠更好地了解如何安全可靠地駕駛車輛。我們正在開發一個實際解決方案，相信許多汽車設計師有興趣了解該解決方案，并發現該解決方案的優勢。”

 

Ricardo技術與產品總監Adrian Greaney稱：“半導體技術是逆變器系統效率的關鍵，在電動汽車性能和效率方面發揮著重要作用。氮化鎵可以顯著提高開關速度和效率，堪稱一項推動性的技術。除了增加行使里程，它還有助于縮小逆變器的封裝尺寸并減輕重量，從而提供更大的動力系統設計靈活性，并有助于減輕車輛重量。從系統層面看，該設計還有許多優勢，Ricardo非常高興能夠與Nexperia就GaN FET器件展開合作。”