在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業
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3D DRAM
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
意法半導體的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評估開發工具，與STM32微控制器生態系統的關系密切，支持Windows、MacOS和?Linux操作系統。從評估到配置和編程，通過整合統一傳感器開發流程，MEMS Studio?可以加快傳感器應用軟件開發，簡化在開發項目中增加豐富的情境感知功能。增強的功能有助于應用輕松獲取傳感器數據，并清晰地顯示可視化的傳感器數據，方便開發者探索傳感器工作模式，優化傳感器性能和測量準確度。軟件包中還有預構建庫測試工具，以及方便的鼠
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提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入?(NPI)?代理商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開售Melexis的MLX90830?Triphibian? MEMS壓力傳感器。MLX90830采用懸臂設計，可測量各種環境下的氣體和液體壓力，精度高，可靠性強。該傳感器既可作為獨立器件使用，也可嵌入到電動汽車熱管理系統的膨脹閥、電子壓縮機或泵中，是HVAC-R應用的理想選擇。Melexis?MLX90830傳感器是率先采用Triphibian
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Melexis MEMS 貿澤 壓力傳感器
MEMS傳感器是當今最熱門的傳感器種類，MEMS技術使傳感器微型化、低功耗、集成化成為可能，是未來傳感器技術的發展方向之一。本文編譯自傳感器寶典——《現代傳感器手冊——原理、設計和應用》，說明了MEMS電容式傳感器、MEMS觸覺傳感器、MEMS壓電式加速度計等常見傳感器的原理和構造，可選自己感興趣的部分MEMS傳感器知識閱讀。如需《現代傳感器手冊——原理、設計和應用》（美第五版，790P，PDF）一書電子文檔，可在傳感器專家網公眾號后臺回復【現代傳感器手冊】獲取下載鏈接。本文內容較全面，可按目錄獲取需要的
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MEMS 傳感器
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3D DRAM 存儲
2023 年 12 月 24 日，北京賽微電子股份有限公司發布關于全資子公司 MEMS-OCS 啟動量產的公告，全資子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems 的縮寫，即微電子機械系統，簡稱為微機電系統）工藝為某客戶制造的 OCS（Optical Circuit Switch 的縮寫，即光鏈路交換器件）完成了工藝及性能驗證（工藝開發與試產的總耗費時間超過 7 年），并于 2023 年 12 月 22 日收到該客戶發出的
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MEMS-OCS 賽微電子
開發下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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3D NAND
●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應位置傳感器，具備穩健的雜散場補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關系統中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車應用場景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業應用場景的新型
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浙江芯晟微機電制造有限公司開業儀式舉行，標志著總投資5.4億元的高端MEMS芯片制造項目正式投產。據湖州莫干山高新區官微消息，日前，浙江芯晟微機電制造有限公司開業儀式舉行，標志著高端MEMS芯片制造項目正式投產。據悉，浙江芯晟微機電制造有限公司MEMS芯片制造項目總投資5.4億元，位于高新區城北園區的核心區域，占地74畝，新增建筑面積8.9萬平方米，項目一期建成6英寸晶圓高端MEMS芯片量產線，將進一步優化湖州市德清縣芯片制造產業結構。
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●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協議。●? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產品增添了新成員，現推出面向汽車和工業應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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TDK 3D HAL 位置傳感器
3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業自動化。2020年全球疫情爆發，隔離政策改變人們的消費模式與型態，導致電商與物流倉儲業出現爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產生缺工問題，加速物流倉儲行業自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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