- 1. 2022年增長了46%?2023年初，市場調研公司Gartner發布了全球前20名半導體廠商的排名，從營收漲跌幅來看，ADI（Analog Devices, Inc.）2022年營收同比增長46%，在全球前20大半導體廠商中營收增長幅度最大（注：部分原因來自于2021年對Maxim的收購）。而2022年全球半導體業市場表現低迷，據Garner統計，2022年全球半導體收入增長1.1%。 ? ? ? ? ? ? ? &nb
- 關鍵字：
202310 ADI 放大器 數據轉換器 DSP MEMS
- 動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
- 關鍵字：
3D DRAM 泛林
- MEMS加速度計對于檢測故障情況、幫助防止意外斷電或避免發生其他代價高昂的事件至關重要。作為一名負責為狀態監控(CbM)應用選擇和安裝合適傳感器的工程師，需要在做出選擇之前仔細考慮多個關鍵參數，然而這些參數常常被忽視。本文將討論您在做出選擇時應特別留意的一些關鍵標準。問題:為狀態監控選擇MEMS加速度計時，有哪些關鍵但經常被忽視的參數？答案:在MEMS加速度計的選擇過程中，經常被低估或忽視的關鍵參數有傳感器的量程、帶寬和諧振頻率。如果這些參數太低或僅能勉強滿足需求，將會導致測量效果不理想。簡介MEMS加速
- 關鍵字：
ADI MEMS
- 電容式微機械超聲換能器（CMUT）是利用MEMS微加工技術制作的超聲換能器，具有低聲阻抗、寬帶寬、體積小等優點。然而，相比于壓電式超聲換能器，CMUT存在發射靈敏度較低、輸出聲壓不夠高等問題。據麥姆斯咨詢報道，為了解決CMUT聲發射能力弱、輸出聲壓低的問題，中北大學研究人員根據CMUT工作原理與阻抗匹配理論設計了匹配電路，實現信號源端到CMUT的最大功率傳遞，以此提升CMUT的聲發射性能，為CMUT的實際應用提供解決方案。相關研究成果已發表于《傳感器與微系統》期刊。單個CMUT陣元由許多CMUT微元構成，
- 關鍵字：
MEMS CMUT
- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。 該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
- 關鍵字：
3D 打印機 NXP LPC5528
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
- 關鍵字：
Teledyne Vision China 3D AI成像
- 與Menlo Microsystems的合作將新的開關技術引入PXI射頻多路復用開關，以顯著地提高性能。2023年6月26日，于英國Clacton-on-sea。Pickering Interfaces公司作為生產用于電子測試及驗證領域的信號開關與仿真解決方案的主要廠商，于今日發布了一款采用新的開關技術的PXI/PXIe射頻多路復用開關模塊新產品。新款基于MEMS的射頻多路復用開關是無線通訊和半導體測試的理想選擇，與傳統 EMR（電磁繼電器）開關相比，操作壽命大大延長（高達300倍）、切換速度更快（高達6
- 關鍵字：
Pickering MEMS 微機電系統 射頻開關模塊
- ■ 1260 hPa和4060 hPa雙量程絕對壓力氣壓計，數字輸出，Qvar?檢測技術，防水封裝■ 測量精度高，耐候性出色，適用于燃氣表、水表、天氣監測、空調和家用電器2023年6月13日，中國 – 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)在工業市場上推出了首款 MEMS 防水/防液絕對壓力傳感器，納入十年供貨保證計劃。意法半導體 AMS MEMS 子產品部總經理 Simone Ferri
- 關鍵字：
意法半導體 MEMS 防水壓力傳感器
- 由于MEMS壓力傳感器的制作過程中存在著許多不可控因素，例如，制備環境、工藝誤差、設備誤差等，因此，整個MEMS壓力傳感器的穩健優化設計是極其重要的。本文對電容式MEMS壓力傳感器進行優化設計，以期為后續研究開發電容式MEMS壓力傳感器奠定必要的基礎依據。
- 關鍵字：
202305 MEMS 壓力傳感器 電容式 優化設計
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向
- 關鍵字：
3D NAND
- 據麥姆斯咨詢報道，使用雷達傳感器監測生命體征的研究已經進行了幾十年。該技術能夠對心跳和呼吸頻率進行持續的非接觸式監測，并具有低功耗和小PCB尺寸的優勢。憑借創新的60 GHz雷達傳感器，其在消費電子產品中的應用正在成為現實。在老齡化社會中，健康監測將發揮越來越重要的作用。健康問題最好能在早期階段被發現，從而避免住院或至少盡可能縮短住院時間。人們希望在自己熟悉的環境中過著自主和獨立的生活，直到晚年。此外，年輕人對更加個性化和自主的醫療服務感興趣。通過隨時監測健康狀態，人們有可能在早期發現疾病和精神壓力并采取
- 關鍵字：
MEMS 傳感器
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
- 關鍵字：
3D DRAM 存儲器
3d-mems介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3d-mems!
歡迎您創建該詞條，闡述對3d-mems的理解，并與今后在此搜索3d-mems的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
