3d-ic 文章最新資訊

中國IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入成長階段培育龍頭企業(yè)正逢其時(shí)

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，就要迅速成就一批行業(yè)的龍頭企業(yè)，這不是一件容易的事，需要有一個(gè)漫長的培育過程，中國IC產(chǎn)業(yè)已走出萌芽狀態(tài)，進(jìn)入成長階段。在這個(gè)跳躍性的成長中，對研發(fā)投入的標(biāo)準(zhǔn)會越來越高，對技術(shù)創(chuàng)新的要求也會越來越高。
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IC與驅(qū)動電路四對分立器件互補(bǔ)管及RM8Z磁芯電路圖

IC與驅(qū)動電路四對分立器件互補(bǔ)管及RM8Z磁芯電路圖圖IC與驅(qū)動電路四對分立器件互補(bǔ)管及RM8Z磁芯電路圖驅(qū)動電路及RM8Z變壓器繞組實(shí)際參數(shù)見圖。
關(guān)鍵字： IC 驅(qū)動電路分立器件互補(bǔ)管磁芯電路

兩片IC構(gòu)成的穩(wěn)壓電路

兩片IC構(gòu)成的穩(wěn)壓電路
關(guān)鍵字： IC 穩(wěn)壓電路

IC產(chǎn)業(yè)整并風(fēng)潮凍傷模擬工程師職場

　　類比工程師的轉(zhuǎn)職活動在近來確實(shí)大幅減少，很多大型類比半導(dǎo)體供應(yīng)商雖然在整并之后規(guī)模變得更大，但目前仍在業(yè)務(wù)/人員盤點(diǎn)階段… 　　大型類比半導(dǎo)體廠商近來為尋求“成本協(xié)同效應(yīng)”而掀起的整并風(fēng)潮，可能造成各家廠商的職位縮減并對工程師們帶來影響;對此在類比技術(shù)領(lǐng)域的知名人才招募網(wǎng)站Analog Solutions總裁暨創(chuàng)辦人Gary Fowler表示，類比工程師確實(shí)找工作會更困難，很多公司的人才招募已經(jīng)凍結(jié)，而這一切都拜企業(yè)整并之賜。　　Fowler指出，類比工程師
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

容量更大、價(jià)格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費(fèi)者的優(yōu)先選擇。
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD

汽車車載3D技術(shù)應(yīng)用助力實(shí)現(xiàn)安全駕駛

3D并不是什么新技術(shù)，在消費(fèi)電子領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用，但在汽車應(yīng)用中卻處于起步階段，仍需要相關(guān)技術(shù)和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應(yīng)用為
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新型LED驅(qū)動器IC可實(shí)現(xiàn)大功率汽車LED前燈

到2015年，高亮度(HB)LED的市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到202 億美元( 數(shù)據(jù)來源：Strategies Unlimited)。驅(qū)動這種增長的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域之一是汽車設(shè)計(jì)中使用的LED，包括
關(guān)鍵字： LED驅(qū)動器 IC 前燈

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
關(guān)鍵字：英特爾 3D XPoint

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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怎樣才是最有效的IC故障診斷和失效分析

摘要：對一個(gè)復(fù)雜的設(shè)備進(jìn)行故障診斷的時(shí)候，知識儲備是最重要的。我們想要的并且需要去了解相關(guān)的一些問題。它包括正確的IC版本號，在哪里可以找到有關(guān)的參考資料，誰真正了解客戶端發(fā)生了什么。幫助客戶是我們最主
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
關(guān)鍵字： SSD 3D NAND

2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
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推動“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”

　　中國重慶渝北區(qū)仙桃數(shù)據(jù)谷近日建立 “ ARM架構(gòu)集成電路產(chǎn)業(yè)支持平臺”，該平臺將為在重慶渝北區(qū)落戶的IC設(shè)計(jì)企業(yè)提供ARM IP購買、技術(shù)服務(wù)、設(shè)計(jì)工具、培訓(xùn)等全方位支持。　　該平臺的建立將直接推動重慶本地以IC設(shè)計(jì)為代表的電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新項(xiàng)目發(fā)展，凡在重慶仙桃數(shù)據(jù)谷落地的電子與集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)企業(yè)今后都能申請此平臺支持，重慶渝北區(qū)政府將對符合條件的項(xiàng)目與企業(yè)提供優(yōu)惠補(bǔ)貼，幫助其迅速并以優(yōu)惠價(jià)格獲得ARM IP、設(shè)計(jì)工具以及相關(guān)培訓(xùn)與技術(shù)支持等。該平臺的建立有利于IC設(shè)計(jì)企業(yè)降
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MCU量增價(jià)跌跌不休　毛利率犧牲打能否阻擋紅潮

事實(shí)上，電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷程中，中國大陸的崛起似乎都是類似的模式，經(jīng)過血流成河的競爭后，汰弱留強(qiáng)，光電產(chǎn)業(yè)已經(jīng)給臺灣上足一課，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還有機(jī)會思考應(yīng)對模式。
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中國IC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展人才培養(yǎng)刻不容緩

大陸的IC產(chǎn)業(yè)正值加速的關(guān)鍵時(shí)期，專業(yè)人才的斷層與新生人才培養(yǎng)的長周期都逼迫著企業(yè)要不斷從外引進(jìn)人才，一場場全球性的“挖角”行動從未間斷，可以預(yù)見的是2017-2018年，對于專業(yè)高端人才的爭奪戰(zhàn)將更趨白熱化。
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]