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        3d-ic 文章 最新資訊

        IC廠瑞昱Q1凈利季增34%、EPS為1.47元

        •   網通IC廠瑞昱今召開法說會,公布首季財報,稅后凈利季增34%、年減9.6%,至7.41億元,每股稅后盈余為1.47元。   受到五一拉貨力道不如預期強勁,瑞昱首季營收為74.5億元,較前一季減少1.5%,但仍較去年同期成長1.6%,不過毛利率因為產品組合優化,較前一季成長1.82個百分點至44.15%,稅后凈利為7.41億元,季增34%、年減9.6%,每股稅后盈余為1.47元。   瑞昱董事會決議將發放6元現金股利,創歷年股利發放新高。
        • 關鍵字: 瑞昱  IC  

        3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價格甜蜜點

        •   固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案,并將于2015~2016年逐漸放量,協助SSD廠商開發價格媲美傳統硬碟的產品,驅動SSD在筆電、工控、企業端及消費性儲存市場出貨量翻揚。   慧榮科技產品企畫處副總經理段喜亭表示,今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上,主要因素在于SSD開發商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash,讓終
        • 關鍵字: 3D NAND  SSD  

        Stratasys亮相2015上交會 以3D打印激發創新活力

        •   3D 打印和增材制造解決方案的全球領導者 Stratasys Ltd.上海分公司今日亮相中國(上海)國際技術進出口交易會(簡稱上交會)。Stratasys大中華區總經理汪祥艮先生于同期舉行的“3D打印知識產權保護暨產業發展論壇”上發表主題演講,分享了在“中國制造2025”的大背景下,3D打印如何以創新驅動各行業變革,推動“大眾創業,萬眾創新”的時代浪潮,助力中國制造業的智能轉型。展會期間,Stratasys發布了全新的Xtend
        • 關鍵字: Stratasys  3D 打印  

        存儲器價格波動大 業界穩定機制受關注

        •   在經歷多次市場價格的大起大落后,全球存儲器芯片產業終于在近年來邁向整合,使得定價漸趨穩定。不過,近來存儲器大廠新帝(SanDisk)接連2季下修預測數據,并歸因于快閃存儲器的價格下滑,引發外界質疑新興的穩定機制是否為曇花一現的假象,又或現狀僅是個別公司所遭遇的瓶頸。   據Barron's Asia報導指出,眼下雖然存儲器芯片價格有所衰退,但許多專家仍對整體產業抱持樂觀態度,認為與2014年積弱不振的表現相比,快閃存儲器的市場供需平衡現已漸入佳境,多數問題的發生恐是因公司而異,并非普遍的業界趨勢。
        • 關鍵字: 存儲器  3D NAND  

        3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價格甜蜜點

        •   固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案,并將于2015~2016年逐漸放量,協助SSD廠商開發價格媲美傳統硬碟的產品,驅動SSD在筆電、工控、企業端及消費性儲存市場出貨量翻揚。   慧榮科技產品企畫處副總經理段喜亭表示,今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上,主要因素在于SSD開發商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash,讓終
        • 關鍵字: 3D NAND  SSD  

        索尼啟示:輕技術重生態的失敗樣本

        • 索尼在軟硬件融合過程中的失敗,在于輕視其原本擁有的硬件優勢,進而導致產品本身喪失了品牌溢價;只有軟件與硬件都做出高品質產品,才能確保生態的價值。
        • 關鍵字: 索尼  3D  

        晶圓代工產能漸松 芯片殺價戰火一觸即發

        •   近期臺系IC設計業者紛透露上游晶圓代工廠第2季產能利用率恐略滑,晶圓產能吃緊警報終于暫告解 除,由于二線及小型IC設計業者紛可拿到晶圓產能,加上國內、外一線IC設計業者亦開始自臺積電出走,尋求更便宜晶圓產能,使得終端芯片市場殺價戰火一觸 即發,晶圓代工產能轉松情況,恐沖擊臺系IC設計業者毛利率表現。   臺系一線IC設計業者表示,審視 2015年上半整體市況,全球中、低階智能型手機需求明顯不如預期,電視市場亦出現傳統淡季壓力,至于一路被唱衰的平板電腦及PC市場依舊欲振乏力,終端 市場需求疲軟,加深品
        • 關鍵字: 晶圓  IC  

        IC Insights:2014全球IC份額美國奪冠大陸第六

        •   市調機構IC Insights公布2014年全球IC市場占有率排名,美國以55%的占比拿下第一名寶座,且無論整合元件制造商(IDM)或無晶圓廠 (Fabless)IC設計公司的銷售額市占皆大幅領先其他國家。臺灣則以7%的占比排名第四,落在南韓與日本之后;不過單就無晶圓IC設計業的整體表現 來看,依舊穩居全球第二,占有率達18%。   
        • 關鍵字: IC  晶圓  

        Stifel:3D NAND技術看起來很美好 但成本會持續多年居高不下

        •   近年來,固態硬盤似乎已經成為了計算機的標配。而隨著SSD的普及,人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間,制造商們正在想著3D NAND技術前進。與傳統的平面式(2D)設計相比,垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近,一家名為Stifel的市場研究公司卻發現:為了實現這一點,制造商們正在砸下大筆投資,而這種成本壓力卻無法在多年的生產和銷售后減退多少。    ?   影響利潤的一個主要原因是,3D NAND芯片的生產,比以往要復雜得
        • 關鍵字: 3D NAND  SSD  

        3D Systems與UNYQ結盟:推進3D打印假肢外殼

        •   UNYQ是一家很有趣的3D打印公司,他們的主要業務是為殘疾人的假肢提供3D打印的精美外殼或其他配飾。天工社早先曾經報道過這家公司。UNYQ是在2014年剛剛成立的,如今已經在西班牙塞維利亞和美國舊金山設立了精品工作室。   該公司目前提供30款限量版假肢外殼,當然,所有的都是3D打印的。UNYQ稱設計師和工匠們會在這些款式的基礎上,與客戶一起創造獨一無二、只適合其本人規格指標和個人風格的產品。   如今UNYQ公司宣稱,他們已經與數字化設計和制造專家3D Systems公司簽訂了多層次合作協議,后
        • 關鍵字: 3D Systems  3D打印  

        去年全球IC市場份額排名大陸僅3%

        •   美國半導體研調機構IC Insight最新調查指出,去年全球IC市場市占率排名,美國以55%穩居榜首,且不論是垂直整合廠(IDM)或IC設計廠商、無晶圓廠(fabless)皆領先全球,臺灣居第四,次于韓國與日本,但此調查未納入晶圓代工銷售。   無晶圓廠包括聯發科、智原等IC設計與設計服務廠商,由于全球智慧手機成長快速,這幾年IC設計廠主戰場已從電腦轉到行動裝置,也讓手機銷售量大的中國大陸,可藉市場的快速成長扶植IC設計廠商。   IC Insight表示,中國大陸半導體全球市占率雖然只有3%,但
        • 關鍵字: IC  晶圓  

        將部分量子運算電路集成到IC,尺寸大幅度減小

        •   日本東京大學光學系統研究科物理工學專業教授古澤明領導的研究小組宣布,成功將在采用光的“量子隱形傳態(Quantum teleportation)”中起重要作用的光學回路集成到了硅芯片上。可以說這向實現量子門方式的量子計算機邁出了一大步。   量子隱形傳態是利用量子糾纏狀態遙傳多種量子態中的一種狀態的方法。由于看上去像量子態瞬間移動,因此被叫做隱形傳態。   古澤的研究小組正在研究將這種量子隱形傳態應用于量子計算機的基本元件。具體是將量子隱形傳態的原理用作對任意量子態進行運算
        • 關鍵字: 量子運算  IC  

        國家大基金或毀了芯片業 價格戰只是開始

        •   未來幾年將是集成電路的整合年,這意味著市場競爭會越來越慘烈,不好的公司肯定都會出局,有些小的公司會被并購。這些都將是常態。
        • 關鍵字: IC  

        臺IC設計全球2 陸急起直追

        •   臺灣IC設計業去年全球市占率約18%,位居第2;中國大陸IC設計業急起直追,全球市占率已攀高至9%,位居第3大。   據研調機構IC Insights調查,美國去年整體IC全球市占率達55%,穩居全球霸主地位;其中,整合元件制造(IDM)部分全球市占率約52%,IC設計業全球市占率達63%,雙雙高居全球龍頭。   南韓與日本IC業以IDM廠為主,去年IDM全球市占率分別達26%及12%,分別位居全球第2及第3位;南韓與日本IC設計全球市占率都不到1%。   南韓去年整體IC全球市占率約18%,位
        • 關鍵字: NXP  IC  

        閃存容量突破性進展!

        •   英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。   這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯合開發而成,垂直堆疊了多層數據存儲單元,具備卓越的精度。基于該技術,可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量,進而帶來很大的成本節約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。    ?   當前,平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
        • 關鍵字: 英特爾  鎂光  3D NAND  
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        3d-ic介紹

        3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]

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