據TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產品別如PC與智能型手機領域恐出現超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續走弱情況下，引發PC OEMs下修整年出貨目標，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產業仍處于供過于求，因此即便
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TrendForce DRAM
比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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3D 圖像傳感器
增強現實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優化復雜的流程，并支持員工進行無縫協作。Magic Leap 2的核心優勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度傳感
SK海力士宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業界最佳性能的 DRAM。擁有當前業界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開發成功到量產僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存
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SK海力士 英偉達 HBM3 DRAM
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
內存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續創新高。華邦電自行開發的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產，為長遠發展奠定良好的基礎與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯網（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產業大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創下歷史新高，每股凈利1.15元優于預期
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DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
2022年5月10日 ，作為先進內存技術的廠商，三星宣布開發出三星首款512 GB 內存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業化邁出了重要一步，CXL將在IT系統中實現更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發的CXL內存容量為其4倍，從而讓服務器擴展至數十TB，而系統延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內存在現有和新興IT系統中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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三星 內存擴展器 CXL DRAM
當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過來，亦即在幾秒鐘內將一組靜態影像變成數字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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根據市調預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰爭影響，引發PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
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TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面
(GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結果。還包括一個 3D 打印旋轉和推送模塊，用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結果· 3D 打印旋轉和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
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今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數據速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發出三星首款基于14nm的LPDDR5X
DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5
(6.4Gbps)快約1.2倍，有
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三星 LPDDR5X DRAM 高通 驍龍
按照摩爾定律進一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來越大，半導體工藝下一步發展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數級攀升，因此，業界開始向更多方向進行探索。
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摩爾定律 3D 堆疊技術
1? ?幾種3D深度感知技術比較3D深度感知主要有3個技術方向：雙目立體，結構光，飛行時間（ToF），結構光起步比較早，但是技術的局限性較大，而雙目立體的發展速度較快，勢頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結構光二者都用了三角測距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產生特征點，來計算對象物深度的數據。結構光需要有一個發射光的發射源，帶編碼的光到了對象物體再反射回來來計算這個深度。結構光的弱點是在室外時，結構光發射帶編碼的光經常受到環境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
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3D 雙目 深度
隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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DRAM 微結構
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