3d x-dram 文章最新資訊

美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
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TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉(zhuǎn)跌0~5%

根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫(kù)存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價(jià)調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢(shì)。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫(kù)存，持續(xù)降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面，先前PC OEMs因擔(dān)憂長(zhǎng)短料問(wèn)題而大量備料，使DRAM庫(kù)存已達(dá)高水位，庫(kù)存迭高問(wèn)題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價(jià)于第四
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三星將在不久后開(kāi)始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是針對(duì)高端服務(wù)器和高性能計(jì)算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案。　　但事實(shí)證明，這家韓國(guó)巨頭可能還不滿足，因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來(lái)的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
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EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程

SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級(jí)DRAM

SK海力士宣布已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動(dòng)終端開(kāi)發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。“DDR” 為電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
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AMD推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展首款3D chiplet應(yīng)用亮相

AMD展示了最新的運(yùn)算與繪圖技術(shù)創(chuàng)新成果，以加速推動(dòng)高效能運(yùn)算產(chǎn)業(yè)體系的發(fā)展，涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運(yùn)算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術(shù)；與業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商特斯拉和三星合作，擴(kuò)大了AMD運(yùn)算與繪圖技術(shù)在汽車與手機(jī)市場(chǎng)的應(yīng)用；新款A(yù)MD Ryzen處理器瞄準(zhǔn)狂熱級(jí)玩家與消費(fèi)性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來(lái)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術(shù)。 AMD總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐展示AMD全新3D chi
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美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過(guò)內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲(chǔ)在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后，有一
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什么是3D XPoint？為什么它無(wú)人能敵卻又前景堪憂？

3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開(kāi)發(fā)的一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。據(jù)悉，3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計(jì)算，比NAND閃存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近處理器的位置存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)成為可能，可填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲(chǔ)空白。
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美光專家對(duì)1α節(jié)點(diǎn)DRAM的解答

2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點(diǎn)技術(shù)1α 節(jié)點(diǎn)DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點(diǎn)，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說(shuō)是收縮
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ams攜手ArcSoft 力推3D dToF走進(jìn)安卓手機(jī)

作為傳感器領(lǐng)域風(fēng)頭最勁的企業(yè)，ams（艾邁斯半導(dǎo)體）通過(guò)技術(shù)積累和持續(xù)的并購(gòu)戰(zhàn)略逐漸成為各類傳感器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，特別是經(jīng)過(guò)收購(gòu)歐司朗之后，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了公司業(yè)務(wù)規(guī)模的擴(kuò)大和業(yè)務(wù)領(lǐng)域的平衡，使得ams在各個(gè)核心領(lǐng)域上都有非常好的市場(chǎng)地位。經(jīng)過(guò)對(duì)歐司朗的收購(gòu)之后，ams聚焦在三大核心技術(shù)領(lǐng)域，主要包括傳感、照明（光源）以及可視化，即visualization、illumination和Sensing。ams大中華區(qū)銷售和市場(chǎng)高級(jí)副總裁陳平路表示，隨著5G時(shí)代帶來(lái)的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的革新非常看好iToF、
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2021年DRAM與NAND增長(zhǎng)快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機(jī)會(huì)，該公司舉辦了線上媒體溝通會(huì)，執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對(duì)DRAM、NAND的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長(zhǎng)19%展望2021年，全球GDP增長(zhǎng)約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)12%，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲(chǔ)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)19%，增度遠(yuǎn)超整
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美光科技：DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長(zhǎng)Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機(jī)需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇，并帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)。目前主要有兩種存儲(chǔ)器產(chǎn)品，一種是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。在DRAM領(lǐng)域，韓國(guó)三星、海力士、美國(guó)美光三家企業(yè)把控了全球主要市場(chǎng)份額。NAND Flash市場(chǎng)則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預(yù)期今
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康耐視推出In-Sight 3D-L4000視覺(jué)系統(tǒng)

作為全球工業(yè)機(jī)器視覺(jué)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者之一，康耐視公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式視覺(jué)系統(tǒng)。這是一款采用3D激光位移技術(shù)的創(chuàng)新型智能相機(jī)，能幫助用戶快速、準(zhǔn)確且經(jīng)濟(jì)高效地解決自動(dòng)化生產(chǎn)線上的一系列檢測(cè)應(yīng)用難題。“一直以來(lái)，3D檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)于大多數(shù)用戶來(lái)說(shuō)面臨兩個(gè)問(wèn)題：產(chǎn)品操作復(fù)雜、使用成本昂貴，”康耐視3D事業(yè)部經(jīng)理John Keating表示，“而In-Sight 3D-L4000視覺(jué)系統(tǒng)很好的解決了這兩個(gè)痛點(diǎn)，其提供了大量的3D視覺(jué)工具套件，使3D檢測(cè)能夠像行業(yè)先進(jìn)的In-
關(guān)鍵字： In-Sight 3D-L4000視覺(jué)系統(tǒng) 嵌入式視覺(jué)系統(tǒng) 3D圖像處理無(wú)斑點(diǎn)藍(lán)色激光光學(xué)元件 3D視覺(jué)工具

TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存· 新一代產(chǎn)品包括5個(gè)系列共計(jì)6個(gè)尺寸TDK株式會(huì)社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品擁有5個(gè)系列，并針對(duì)工業(yè)、醫(yī)療、智能電網(wǎng)、交通和安全等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。5個(gè)系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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