3d x-dram 文章最新資訊

功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨

當(dāng)?shù)貢r間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機(jī)制造商和芯片組運(yùn)送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實(shí)現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

2022年11月2日——中國上海——內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于1β節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升

IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實(shí)現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時，消
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃

近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運(yùn)營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運(yùn)營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外，針對美國對芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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IQE 宣布與全球消費(fèi)電子領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)成長期戰(zhàn)略協(xié)議

- 長期批量供應(yīng)協(xié)議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應(yīng)用開發(fā) VCSEL 技術(shù)- 進(jìn)一步加強(qiáng) IQE 作為 3D 傳感市場領(lǐng)導(dǎo)者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團(tuán)”），全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材
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西門子推軟件解決方案加快簡化2.5D/3D IC可測試性設(shè)計(jì)

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測試性設(shè)計(jì)（DFT）。隨著市場對于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升，IC設(shè)計(jì)界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu)，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個晶粒，使其能夠作為單一組件運(yùn)作。但是，這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)榇蟛糠謧鹘y(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn)，西門子推出Tess
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高手在民間世界技能大賽特別賽中國已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優(yōu)勝獎，實(shí)現(xiàn)多個項(xiàng)目上金牌和獎牌零的突破。　　本次特別賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕，共舉行8個項(xiàng)目的比賽，吸引了來自34個國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項(xiàng)目的角逐。　　其中，來自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書明獲得移動應(yīng)用開發(fā)項(xiàng)目金牌，成為本次大賽該新增項(xiàng)目首個金牌獲得者。　　來自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項(xiàng)目、云計(jì)算項(xiàng)目金牌，實(shí)現(xiàn)我國在這兩個項(xiàng)目上
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度創(chuàng)新高

10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運(yùn)行速度，夯實(shí)了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運(yùn)行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機(jī)普及，使更多消費(fèi)者能夠在移動設(shè)備上體驗(yàn)更為強(qiáng)大的計(jì)算性能。憑借低功
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應(yīng)設(shè)備

SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運(yùn)營盡最大的努力。”美國商務(wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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TrendForce：存儲器廠聚焦CXL存儲器擴(kuò)充器產(chǎn)品

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務(wù)器相關(guān)報(bào)告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴(kuò)充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認(rèn)為
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)

芯片已經(jīng)無處不在：從手機(jī)和汽車到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。創(chuàng)建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實(shí)現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對自動光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動化及AI的過程中，傳統(tǒng)人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動檢測儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢，還能針對缺陷或瑕疵及時修復(fù)、舍棄，降低不必要的時間成本與人力成本，快速穩(wěn)定且
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西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項(xiàng)新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
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庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％

市調(diào)機(jī)構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導(dǎo)致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應(yīng)端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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