- 近日，半導體產業市場調研品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)公布的最新的存儲芯片行業調研報告顯示，DRAM跌價幅度超過預期，創8年以來最大跌幅。一度被調侃為“價格跑贏了房價”的內存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現。
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存儲 DRAM
- 根據據韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂觀?！ ≡陧n國電子產品價格比較網“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%。 B2B(企業間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢，據市調公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
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DRAM SK海力士
- 據市調機構DRAMeXchange公布的調查報告指，今年以來DRAM內存價格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價格持續下跌導致位置不保?！ 〈鎯π酒瑑r格持續上漲助三星取代Intel 自2016年以來，受PC、智能手機等產品對存儲芯片需求不斷擴大，PC正將機械硬盤轉換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內存的容量在不斷增大，智能手機的閃存和內存容量也在不斷擴大，存儲芯片價格進入了快速上漲的階段?！ ∽鳛?/li>
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三星 DRAM
- Mar. 5, 2019 ----
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，由于供過于求的市況，DRAM產業大部分交易已經改為月結價(Monthly
Deals)，2月份更罕見出現價格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅?！ RAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer
bank)普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel低
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DRAM
- 3D打印和增材制造解決方案供應商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會（TCT Asia 2019），以其業界領先的創新型增材制造技術與智能制造解決方案引領行業新發展。展會期間，Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應用極限，大幅降低生產耗時及人工成本，滿足客戶多元化的專業、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業頂級的行業盛會，匯聚了3D打印技術的創新發展
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醫療，3D
- 3D打印和增材制造解決方案供應商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會（TCT Asia 2019），以其業界領先的創新型增材制造技術與智能制造解決方案引領行業新發展。展會期間，Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應用極限，大幅降低生產耗時及人工成本，滿足客戶多元化的專業、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業頂級的行業盛會，匯聚了3D打印技術的創新發展和最新應用，
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3D 打印
- 據businesskorea報道，中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！ ∪欢?，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴?！ №n國企業對該計劃持謹慎態度，主要有兩個原因?！ ∈紫?，中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片，無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下，很難預測對韓國企業的影響。
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NAND DRAM
- 作為IC晶圓生產直接的原材料，全球硅片行業經歷了從6寸向12寸的迭代，同時生產中心由美國轉移到了日本。目前日本憑借半導體產業分工帶來的機遇占據硅片行業50%以上份額，但......
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硅片 DRAM
- 據外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即DDR6的研發，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000?！ 〗邮懿稍L時，SK海力士研發Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內發展起來?！ im
Dong-kyun透露，“后DDR5”產品已經有幾套技術概念成型，其中一套延續現有的數據傳輸規范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統的處理技術結合。 資料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發出單顆容量16Gb(2GB)的DD
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DRAM DDR6
- 業界都謹慎地觀察2019年中國半導體業的發展態勢，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。本文擬從以下三個方面，包括2019年全球半導體業的弱勢;中國集成電路產業發展由產能擴充階段轉向產品增長的攻堅戰;以及在貿易戰下心理因素的影響等來初探2019年中國半導體業的增長。
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半導體 DRAM 存儲器
- 盡管隨著主要存儲器業者已完成或即將完成Flash存儲器產量擴增計劃，2019年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續高于各業者在DRAM與晶圓代工業務上的支出。 ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業務資本支出金額的219億美元。
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DRAM 晶圓 Flash
- 非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節尋址兩類?！ ≡诤芏嗟拇鎯ο到y的寫操作程序中，內存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁，提供更快速的性能，但是如果發生突然間斷電的情況，如何保護內存中的數據不丟失，這是存儲系統中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候，里面的數據會丟失，就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數據不會丟失，像硬盤等外存。RRAM是一
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存儲器 DRAM
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年12月正值歐美年節時期，DRAM成交量清淡，因此不列入合約價計算，意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右，而4GB約在30美元水位，但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關卡。DRAMeXchange指出，2019年第一季合約價已于去年12月開始議定，綜合庫存過高、需求比原先預估更為疲弱，以及短中期經濟展望不明朗等因素，買賣雙方已有8GB均價降至55美
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DRAM，價格
- 隨著中美談判嘗試結束貿易戰，對于兩國沖突的一個關鍵方面——針對涉嫌盜竊商業機密的刑事起訴，美國謀求新的策略來打擊中國實現內存芯片量產的愿景。據外媒報道，當地時間本周三，福建晉華與其合作伙伴臺灣聯電被控竊取商業機密一案在舊金山聯邦法院審理，預計晉華和聯電將做無罪辯護。
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晉華 DRAM 聯電
- 據BusinessKorea北京時間1月8日報道，受內存行業的增長推動，去年全球半導體市場同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注)，營收同比增長38.2%，在行業前十大公司中增速最快?！ 袌鲅芯抗綠artner日前發布的2018年全球半導體市場初步報告顯示，全球半導體營收去年達4767億美元，同比增長13.4%。存儲芯片占半導體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%，占比最大?！ ∪请娮尤ツ甑陌雽w營收達759
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三星 半導體 DRAM
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