新聞中心

        EEPW首頁 > 光電顯示 > 設計應用 > LED碳化硅襯底基礎概要

        LED碳化硅襯底基礎概要

        作者: 時間:2011-06-19 來源:網絡 收藏

        又稱金鋼砂或耐火砂。是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。碳化硅主要分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。其中:黑碳化硅是以石英砂,石油焦和優質硅石為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉,性脆而鋒利。綠碳化硅是以石油焦和優質硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉。

        碳化硅的硬度很大,具有優良的導熱和導電性能,高溫時能抗氧化。可以作為磨料,可用來做磨具,如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。還可以作為冶金去氧劑和耐高溫材料。碳化硅主要有四大應用領域,即: 功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。并且高純度的單晶,可用于制造半導體、制造碳化硅纖維。碳化硅(SiC)由于其獨特的物理及電子特性,在一些應用上成為最佳的半導體材料: 短波長光電元件,高溫,抗幅射以及高頻大功率元件。主要優勢如下:

        1. 寬能級(eV)
        4H-SiC: 3.26 6H-Sic: 3.03 GaAs: 1.43 Si: 1.12
        2. 高熱傳導率(W/cm?K@RT)
        4H-SiC: 3.0-3.8 6H-SiC: 3.0-3.8 GaAs: 0.5 Si: 1.5
        3. 高擊穿電場(V/cm)
        4H-SiC: 2.2x106 6H-SiC: 2.4x106 GaAs: 3x105 Si: 2.5x105
        4. 高飽和電子遷移速度(cm/sec @E 2x105V/cm)
        4H-SiC: 2.0x107 6H-SiC: 2.0x107 GaAs: 1.0x10 Si: 1.0x107

        由于碳化硅的寬能級,以其制成的電子元件可在極高溫下工作,可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵,特別適用于制造高壓大功率元件如高壓二極體。碳化硅是熱的良導體,導熱特性優于任何其他半導體材料。碳化硅優良的特性使其在工業和軍事上有很大的應用范圍。



        關鍵詞: LED 碳化硅

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 房山区| 宜昌市| 上杭县| 上高县| 鄯善县| 桂林市| 登封市| 和平县| 巍山| 新邵县| 乃东县| 永清县| 鹿邑县| 庆阳市| 南皮县| 嵊泗县| 五大连池市| 石台县| 建德市| 合肥市| 旌德县| 中阳县| 高雄县| 苍溪县| 大埔县| 永定县| 新和县| 镇雄县| 肥城市| 河间市| 雷州市| 塘沽区| 丰都县| 沁水县| 勐海县| 汾阳市| 通州市| 谷城县| 宣汉县| 安西县| 格尔木市|