開關電源轉換器高性能碳化硅（SiC）功率半導體器件

　進入21世紀，開關電源技術將會有更大的發展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業和學術各界努力協作，沿著下述方向，開發與開關電源相關的產品和技術。

　　碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優點是禁帶寬，工作溫度高（可達600℃）、熱穩定性好、通態電阻小、導熱性能好、漏電流極小、DNI結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率的半導體開關器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。