- 全球碳化硅（SiC）技術領先企業科銳與ABB電網事業部宣布達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協議內容包括在ABB種類齊全的產品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將助力科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場。
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科銳 ABB 碳化硅
- 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發，充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類應用中
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IGBT SiC GaN
- 一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源，核心功能的實現都離不開電力電子系統中半導體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點，國際上都在競相研發碳化硅半導體制備技術。近日，記者在區內企業世紀金光半導體有限公司（以下簡稱“世紀金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現小批量試產，研發的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領域，實現第三代半導體碳化硅關鍵領域全面布局。
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第三代半導體 碳化硅 世紀金光
- 近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機電系統）微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態控制技術。?
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MEMS 碳化硅 微推力器陣列
- 日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業新一輪變革的突破口。 2018年，美國、歐盟等持續加大第三代半導體領域研發支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業廣泛進入等積極因素，國內第三代半導體產業穩步發展。但是，在材料指標、器件性能等方
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- 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產品，但在某些時候，收益遞減
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SiC MOSFET 意法半導體
- 近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業巡演2019”。在北京站，ST亞太區功率分立和模擬產品器件部區域營銷和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業市場的特點，并介紹了ST的產品線寬泛且通用性強，能夠提供完整系統的支持。1 芯片廠商如何應對工業市場少量多樣的挑戰工業領域呈現多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規模生產的模式，實現少量、高質量的生產。具體地，工業的一大挑戰是應用的多樣化，即一個大應用下面通常有很多小的子應用，所以產品會非標準化，即一個產品只能針對某一類小應用/小客戶的需
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電機 MCU 電源 SiC
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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SiC MOSFET
- 最近，由深圳市科學技術協會、坪山區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創新、產業發展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產化替代進程，助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區科技創新局局長黃鳴出席論
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碳化硅 二極管 MOSFET
- 在功率電子學中，半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學的物理學家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長，風能和太陽能等可持續能源供應變得越來越重要。然而，電力通常遠離消費者產生。因此，高效的配電和運輸系統與將產生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節省大筆開支現代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現在主要基于硅技術。然而，在硅上使
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碳化硅
- 近日，科銳宣布與德爾福科技（Delphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
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- 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時，安森美只是一家年營業額12億美元的標準半導體供應商，2018年已達到年營收近60億美元，轉型成為領先的高能效創新的半導體方案供應商。過去的20年，是半導體技術飛躍發展的20年，也是并購重組頻繁的20年，很多中小公司在并購浪潮中淹沒了，而安森美卻逐漸壯大，形成了自己的特色和穩定的市場。安森美的成功經驗是什么？如今的特色和對未來的觀察是什么？近日，安森美半導體戰略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產品世界等媒體的采訪。1 靠創新
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汽車 傳感器 碳化硅 云電源
- 王?瑩?（《電子產品世界》編輯，北京?100036） SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優勢。據SiC廠商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個市場規模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。 不過，制約SiC發展的關鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，羅姆等公司已經有6英
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- 華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業。
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- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
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碳化硅（sic）介紹
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