ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制

半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。
 

EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實現低功耗和小型化

一般來說，GaN組件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，ROHM新產品透過獨創結構，成功將閘極-源極間額定電壓從過去的6V提高到了8V。也就是說，在開關過程中即使產生了超過6V的過沖電壓，組件也不會劣化，有助提高電源電路的設計余裕和可靠性。此外，該系列產品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型封裝，將使安裝工程的操作更加容易。
新產品于2022年3月起開始量產，前段制程的制造據點為ROHM Hamamatsu （日本濱松市），后段制程的制造據點為ROHM（日本京都市）。
ROHM將有助節能和小型化的GaN組件產品系列命名為「EcoGaNTM」，致力大幅提高組件性能。今后，ROHM將繼續研發融合「Nano Pulse Control」等模擬電源技術的控制IC及模塊，透過可充分發揮GaN組件性能的電源解決方案，助力永續發展社會的實現。
名古屋大學 工學研究所 山本真義教授表示，今年日本經濟產業省制定了2030年新建數據中心節能30%的目標，目前距實現該目標只有不到10年的時間。然而，這些產品的性能不僅涉及到節能，還攸關到社會基礎設施的堅固性和穩定性。針對今后的社會需求，ROHM研發了新的GaN組件，不僅節能性更佳，而且閘極耐壓高達8V，可以確保堅固性和穩定性。從該系列產品開始，ROHM將透過融合自豪的模擬電源技術「Nano Pulse Control」，不斷提高各種電源效率，在不久的將來相信會掀起一場巨大的技術革新浪潮，進而在2040年的半導體和資通訊業界實現碳中和的目標。