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        羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng):射頻熱凝控制儀測(cè)試

        作者:三石成磊 時(shí)間:2022-03-19 來源:EEPW論壇 收藏

        測(cè)試設(shè)備

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202203/432172.htm

        ①直流電源

        由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。

        1622203696790570.jpg

        ②電子負(fù)載

        半橋電源電源的輸出負(fù)載,可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載,測(cè)試電源的帶載能力非常好用。

        1622203739440582.jpg

        ③信號(hào)發(fā)生器

        產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào),用于MOS管的驅(qū)動(dòng)

        1622203771449736.jpg

        ④示波器

        觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形

        1622204243487512.png

        ⑤萬用表

        測(cè)量各測(cè)試點(diǎn)的電壓

        ⑥溫度巡檢儀

        測(cè)量帶載后MOS管的溫度

        1622204264632826.png

        測(cè)試拓?fù)?/strong>

        1622204283123748.png

        將說明書中電路按照上述描述修改:兩個(gè)直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電壓源。

        成果展示

        1622204165798458.jpg

        由于時(shí)間匆忙,只使用DC12V母線電壓,100KHz的開關(guān)頻率進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過程中沒有拍攝波形圖片,只是隨手記錄了一些測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果顯示:

        1) MOS管的溫升很低,150W輸出功率下,管子不需要散熱片

        2)硬件死區(qū)時(shí)間設(shè)置非常好,比軟件可靠

        3)各處波形更接近理想模型。

        評(píng)估板試用感受

        板子做的很精致,電路設(shè)計(jì)的也很用心,由于時(shí)間緊張沒有來得及與一般MOS管做對(duì)比,但是從我測(cè)試數(shù)據(jù)以及經(jīng)驗(yàn)來說, MOS管確實(shí)比一般MOS管性能好很多,后對(duì)高要求設(shè)計(jì)中會(huì)優(yōu)先采用 MOS管。



        關(guān)鍵詞: SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

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