- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發的系列產品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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SiC MOSFET
- 最近，由深圳市科學技術協會、坪山區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創新、產業發展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產化替代進程，助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區科技創新局局長黃鳴出席論
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碳化硅 二極管 MOSFET
- 在功率電子學中，半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學的物理學家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長，風能和太陽能等可持續能源供應變得越來越重要。然而，電力通常遠離消費者產生。因此，高效的配電和運輸系統與將產生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節省大筆開支現代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現在主要基于硅技術。然而，在硅上使
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碳化硅
- 近日，科銳宣布與德爾福科技（Delphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
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科銳 德爾福科技 SiC
- 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時，安森美只是一家年營業額12億美元的標準半導體供應商，2018年已達到年營收近60億美元，轉型成為領先的高能效創新的半導體方案供應商。過去的20年，是半導體技術飛躍發展的20年，也是并購重組頻繁的20年，很多中小公司在并購浪潮中淹沒了，而安森美卻逐漸壯大，形成了自己的特色和穩定的市場。安森美的成功經驗是什么？如今的特色和對未來的觀察是什么？近日，安森美半導體戰略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產品世界等媒體的采訪。1 靠創新
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汽車 傳感器 碳化硅 云電源
- 王?瑩?（《電子產品世界》編輯，北京?100036） SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優勢。據SiC廠商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個市場規模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。 不過，制約SiC發展的關鍵是價格，主要原因有兩個：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，羅姆等公司已經有6英
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201909 新一代功率半導體 SiC
- 華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業。
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華為 半導體 碳化硅
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優勢。在應用中，在光伏和服務器市場最大，正處于發展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過，制約SiC發展的，最主要的是價格，主要原因有兩個，一個是襯底，一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應地下降，ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面，眾廠商競爭
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SiC MOSFET
- 中國北京，2019年7月16日–各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上，發表題為“一種用于工業和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文，并介紹公司在該領域的最新研究開發成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發表該文章。當今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業應用方面，越來越多的人則
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CISSOID 碳化硅 功率模塊 高溫柵極驅動器
- 此次產能擴大，將帶來SiC（碳化硅）晶圓制造產能的30倍增長和SiC（碳化硅）材料生產的30倍增長，以滿足2024年之前的預期市場增長
5年的投資，充分利用現有的建筑設施North Fab，并整新200mm設備，建造采用最先進技術的滿足汽車認證的生產工廠
投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠（mega factory）；1億美元用于伴隨著業務增長所需要的其它投入
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碳化硅 碳化硅基氮化鎵 工廠
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型。 ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC
MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
- 2019年3月14日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON
Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer
Studio?
開發平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心。 Strata Developer
S
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安森美 SiC
- Mar. 7, 2019 ----
全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業，2019年
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IGBT SiC
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC)
MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動器、電焊機和電源。 SIC1182K可在125°C結溫下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
碳化硅（sic）介紹
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