國內8英寸SiC傳來新進展

近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發展。

在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實現小批量生產；天科合達計劃在2023年實現8英寸襯底產品的小規模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協議。近期，科友半導體傳來了新消息。

6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩定性等方面取得可喜成績。此前4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。

具體來看，在尺寸、厚度方面，科友半導體實現了高厚度、低應力6/8英寸碳化硅晶體穩定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩定在15mm以上。

缺陷密度方面，科友半導體6英寸晶體位錯缺陷密度＜3000個cm-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個cm-2，位錯缺陷密度＜5000個cm-2，晶體質量處于行業領先水平。

生長速率方面，科友半導體基于高熱場穩定性、高工藝穩定性、和高裝備穩定性，突破了8英寸SiC晶體快速生長工藝技術，長晶速率已達到170μm/h以上，長晶周期約為4-5天，單臺長晶爐設備每月運轉約6-7爐次。

產品良率方面，科友半導體基于6英寸晶體研發生產經驗，開發出適用于8英寸SiC穩定生長的工藝技術，大幅提升了長晶的穩定性、重現性。

資料顯示，科友半導體成立于2018年5月，是一家專注于第三代半導體裝備研發、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術企業，研發覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域，已形成自主知識產權，實現先進技術自主可控。

科友半導體在哈爾濱新區打造產、學、研一體化的第三代半導體產學研聚集區，實現碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產業鏈閉合，致力成為第三代半導體關鍵材料和高端裝備主要供應商。

目前，科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望粉碎國際封鎖，成為我國大尺寸低成本碳化硅規模化量產制造技術的領跑者。