一位中國半導體行業高管預測，在封裝應用和技術方面的優勢支持下，中國將在未來三到五年內迎來“爆炸性增長”，為國家克服美國技術限制開辟道路。據中國國家電視臺報道，中國半導體行業協會（CSIA）會長、中國最大的存儲芯片制造商長江存儲技術有限公司（YMTC）負責人陳南翔表示，國家正在探索一種新的市場導向型行業模式，放棄依賴大學和研究機構的舊模式。陳南翔在接受中國中央電視臺英語頻道CGTN采訪時表示：“[今天的重點]是產業、產品、服務和商業模式的創新，這些最終必須帶來價值。” 他在接受CGTN采訪時說，“中國的芯片
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美國半導體制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技術平臺，用于電動汽車和其他應用。與前幾代相比，該平臺可減少30%的導通損耗和高達50%的關斷損耗。據Onsemi稱，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業界最低的特定導通電阻，并具有短路能力，這對牽引逆變器市場至關重要。在電動汽車中，逆變器將電池的直流電轉換為電動機所需的交流電。轉換損耗和冷卻需求越低，車輛在相同電池容量下的續航里程就越大。具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術提供了
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歐盟與韓國簽署協議，合作開發半導體技術。這一合作將作為歐盟和韓國數字伙伴關系的成果，共同資助四個半導體項目。根據歐盟和韓國數字伙伴關系的安排，這些項目將共同籌集1200萬歐元資金。其中一半來自歐盟的“Horizon Europe”計劃下的芯片聯合企業，另一半來自韓國國家研究基金會（NRF）。所選項目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項目將持續三年，旨在推進異構集成技術（將多個組件集成到一個半導體中）以及優化仿生神經技術（模仿人腦功能）。加強歐盟與韓國的合作將結合歐洲和韓國研究與創
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中國科學家們研發出一種超薄半導體材料，這一進展可能會帶來更快、更節能的微芯片。由北京大學的劉開輝、人民大學的劉燦和中國科學院物理研究所的張光宇領導的團隊，開發了一種制造方法，可以生產厚度僅為0.7納米的半導體材料。研究人員的發現于7月5日發表在同行評議期刊《科學》上，解決了減少傳統硅基芯片尺寸的關鍵障礙——隨著設備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學家探討了二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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美國政府正在考慮對中國獲取先進芯片制造工具的限制措施，這些措施甚至被一些美國盟友稱為“嚴厲”。主要提案包括應用外國直接產品（FDP）規則，施壓盟友限制在中國的設備服務和維修，以及擴大需要許可證的未核實清單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產業的進步。一個關鍵提案是應用FDP規則，這將允許美國對包含任何美國技術的外國生產的物品施加控制。根據彭博社的報道，這將特別影響像東京電子和阿斯麥（ASML）這樣的公司，限制它們向中國提供先進的晶圓制造設備（WFE）。這一措施被美國盟友視為“嚴厲”，但反映了美國政府限制中
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五角大樓的高級研究項目局（DARPA）撥款8.4億美元，用于開發美國軍方的下一代半導體微系統。這筆資金的受益者是德州電子研究所（TIE），該機構成立于2021年，位于德克薩斯大學奧斯汀分校，并作為一個由德州州政府和地方政府、芯片公司和學術機構組成的聯盟運營。TIE的研究重點是異構集成技術，通常稱為芯片組——將單獨的硅片封裝在一起形成完整的芯片。AMD等公司的處理器就廣泛使用這種方法：現代的AMD Ryzen或Epyc處理器包括多個硅片，每個硅片包含CPU核心和IO電路。由于TIE在這一領域的半導體研發經驗
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通過香港向俄羅斯運輸的高優先級物品（CHPL）減少了28%（2024年1月至5月）——美國商務部提供給路透社的數據
2023年通過香港/中國運輸的Nvidia產品達1760萬美元——C4ADS數據
香港是全球規避制裁的“領先”中心——新CFHK報告
高端芯片通過香港從Nvidia和Vectrawave運出
香港政府表示不會執行單邊美國制裁
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在飛速迭代的電子科技版圖中，微控制器作為電子設備的中樞神經系統，其卓越的性能與堅不可摧的安全性構成了支撐整個系統高效運行與數據嚴密防護的基石。近年來，物聯網技術的井噴式發展，對MCU的性能標準提出了更為嚴苛的要求，尤其是在工業應用的前沿陣地，安全、效能卓越且設計靈活的MCU已成為市場競相追逐的焦點。鑒于此，ST憑借深厚的技術積累，重磅推出了STM32H5系列新一代高性能MCU，該系列專為加速安全導向的工業應用設計而生，旨在為開發者開辟前所未有的設計創新空間，并構筑起堅不可摧的安全防線。STM32H5系列不
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意法半導體 ST MCU STM32H5
7月22日消息，據國內媒體報道稱，中國半導體行業協會理事長陳南翔近日接受采訪時表示，中國集成電路產業仍在路上，未來一定孕育巨大成功模式。“在40年前，我不曾想過中國半導體產業能有如今的發展規模，但是在過去的20年我們可以清楚的看到，未來中國一定會有今天這樣的發展。”陳南翔稱，不過，當下還不是中國半導體產業最好的發展狀態，中國最好的狀態正在路上。陳南翔指出，當前看到的三星正在做的三納米和英特爾正在做的三納米都是不一樣的，有著各自的定義。“以前摩爾定律有效的時候，在每一個節點上，大家都知道三年后如何發展、六年
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封裝 半導體
受到美國即將出臺的限制華投資法案影響，許多早已在中國高科技領域投資的美國投資公司將面臨退出或分拆的命運，而此項新法規將可能使美國資本失去參與未來半導體、量子計算機或人工智能（AI）等高科技發展的機會。據《芯智訊》報導，今年6月底美國財政部發布了「關于實施對外投資行政命令的擬議規則」（NPRM），限制美國人在中國半導體和微電子、量子信息技術、人工智能系統等領域的投資。該擬議規則目前正在征求意見，預計最終法規將在2024年底前出臺。法令出臺后，一些仍在中國高科技產業投資的美國企業可能要被迫剝離他們在中國高科技
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高科技投資 AI 半導體 量子計算機
致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商—大聯大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半導體（ST）ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。圖示1—大聯大友尚基于ST產品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖近年來，快充行業不斷經歷創新升級，每一次技術的躍進都為充電的效率與安全性帶來革命性變革。特別是USB PD3.1快充標準的引入，更是為該行業的發展樹立了新的里程碑。該標準不僅將最大充電功率提升至240W，同時新增多組固定和可調輸出電壓檔位，可為各種電子設備提供更加靈活
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友尚集團 ST 140W USB PD3.1 快充方案
華盛頓，7月17日——美國商務部周三表示，計劃向臺灣環球晶圓（6488.TWO）提供高達4億美元的政府補助金，以顯著增加硅晶圓的生產。
商務部表示，德克薩斯州和密蘇里州的項目資金將建立美國首個用于先進半導體的300毫米晶圓生產，并擴大絕緣體上硅（SOI）晶圓的生產。
這些晶圓是先進半導體的重要組成部分，是拜登政府推動芯片供應鏈努力的一部分。
計劃中的補貼將支持環球晶圓在兩州計劃的40億美元投資，以建設新的晶圓制造設施，并創造1700個建筑工作崗位和880個制造工作崗位。
商務部長吉娜·雷蒙多表示：
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美國貿易與發展署與肯尼亞的合作關系標志著將非洲融入全球半導體供應鏈的重大舉措，這表明該大陸在這一高科技產業中的崛起。
肯尼亞、尼日利亞、盧旺達和加納等非洲國家提供了豐富的半導體生產所需的關鍵礦物，以及年輕、精通技術的人口，準備推動創新和技術進步。
投資非洲的半導體產業不僅可以降低供應鏈風險和成本，還可以促進可持續的經濟發展、創造就業機會和技術進步，惠及非洲經濟及其西方合作伙伴。
美國貿易與發展署與肯尼亞合作提升東非國家半導體制造業的最近公告，是將非洲大陸納入全球半導體供應鏈的重要一步。這一發展標志著
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據報道，美國政府正在考慮對中國獲取先進芯片制造工具實施更嚴厲的限制措施，甚至有一些美國盟友稱這些措施為“嚴厲”。主要提議包括應用外國直接產品（FDP）規則，施壓盟友限制在中國的設備服務和維修，以及擴大需要許可證的未驗證名單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導體產業的進步。其中一個關鍵提議是應用FDP規則，這將允許美國對包含任何美國技術的外國生產項目進行控制。根據彭博社的報道，這將特別影響東京電子和阿斯麥等公司，限制它們向中國提供先進的晶圓制造設備（WFE）。盡管這一措施被美國盟友視為“嚴厲”，但它反映了政府限
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意法半導體推出了一套即插即用的圖像傳感器應用開發硬件、評估用攝像頭模塊和軟件，該生態系統有助于簡化基于ST BrightSense全局快門圖像傳感器的應用開發，讓開發者能夠采用ST BrightSense 圖像傳感器 設計大規模工業和消費產品，確保產品具有出色的拍攝性能。與傳統卷簾快門圖像傳感器不同的是，全局快門圖像傳感器能夠同時曝光所有像素，拍攝快速移動的物體，圖像不會失真變形，當配備補光系統時，可明顯降低功耗。ST BrightSense CMOS 全局快門傳感器采用先進的背照式像素技術，在意法半導體
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