- IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 閃存供應商，對其 V-NAND（即三星稱之為的 3D NAND）的發展有著宏大的計劃，本周三星分享了一些相關信息。該公司證實，其正在按計劃生產擁有超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，并表示這將是業內層數最多的 3D NAND。“第九代 V-NAND 基于雙層結構，層數達到業界最高水平，明年初將開始量產。”三星電子總裁兼存儲器事業部負責人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中寫道。IT之家注意到，8 月份就有消息稱，三
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三星 存儲 NAND閃存
- 近日，據媒體報道，三星電子存儲業務主管李政培稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品，希望明年初可以實現量產。三星正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。目前，存儲產業處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
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三星 第九代 V-NAND 閃存
- 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規模擴張。據外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規模擴張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續引進可生產236層NAND的設備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其他許可。據了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產量的40%。
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三星 NAND 西安
- 據悉，三星申請了Hexa2Pixel商標。眾所周知，三星Galaxy S22 Ultra主攝為1.08億像素，它支持像素9合1，可以輸出1200萬像素樣張（108÷9＝12）。這次三星申請Hexa2Pixel商標，意味著三星正在開發36合1的圖像傳感器（Hexa=6，Hexa的平方=36），根據1.08億像素9合1輸出1200萬像素樣張進行反向推算，36合1意味著主攝分辨率超過了4億像素。據了解，三星正在開發兩款4億像素傳感器，這兩款傳感器都擁有4.32億像素，這將是業界首款4億像素圖像傳感器。其中一款型
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- 10月16日，根據韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監督SiC功率半導體業務，并在其內部組織了SiC功率半導體業務V-TF部門。Stephen Hong是功率半導體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導體產業生態圈和學術界互動，進行市場和商業可行性研究。早先三星宣布正式進軍GaN業務的時候也曾提
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- 金秋十月，科技圈也進入了一年中最關鍵的階段，大家的目光開始集中到了年底前即將亮相的一眾代表性年度旗艦上，而作為安卓機皇的三星新一代旗艦Galaxy S24系列自然也是大家關注的焦點，尤其該機將重新回歸雙處理器版本的組合。現在有最新消息，近日有數碼博主發現疑似超大杯的三星Galaxy S24 Ultra已現身Geekbench 6跑分平臺。據數碼博主最新發布的信息顯示，近日一款型號為SM-S928B的機型現身跑分平臺GeekBench，結合此前相關爆料，該機基本可以確定就是已經有很多曝光的三星Galaxy
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- 10 月 15 日消息，作為當前第二大晶圓代工商的三星電子，明年的產能利用率可能并不樂觀，TrendForce 集邦咨詢預計他們 8 英寸晶圓廠的產能利用率，在明年將只有 50% 左右。TrendForce 表示，受需求下滑影響，三星電子 8 英寸晶圓廠，自今年下半年開始就已有產能利用率下滑的跡象。外媒在報道中披露，三星電子目前在京畿道器興運營有一座 8 英寸的晶圓廠，月產能 20 萬片晶圓，主要生產驅動集成電路、圖像傳感器、智能手機電源管理芯片等。在報道中外媒也提到，由于客戶削減訂單，三星電子
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- IT之家 10 月 13 日消息，據華爾街見聞報道，供應鏈上下游龍頭公司透露稱，受三星等存儲原廠減產以及國內閃存龍頭存儲顆粒產能不足的影響，內存和閃存元器件采購成本逐步上漲。報道稱，相較此前低位，國內有存儲器下游龍頭閃存采購成本已上漲近 20%，內存采購成本上漲約 30%。隨之而來的影響，即從今年四季度開始，存儲元器件成本上漲所帶來的影響將逐漸傳導至消費端，筆記本電腦、手機等終端產品可能面臨漲價局面。同樣在今天上午，@數碼閑聊站 也發文稱“上游搞了個騷操作”，并直言內存和存儲“白菜價的時代要過去
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- 作為當前全球最先進的制程工藝，臺積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產，其中三星電子是在6月30日開始量產，臺積電則是在12月29日開始商業化生產。從外媒最新的報道來看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰。此前預計三星的良品率在今年將超過60%，臺積電的良品率在8月份時就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認為是完整的3nm制程工藝產品。3n
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- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經通報即生效。據悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協調，與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
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- IT之家 10 月 11 日消息，三星電子周三報告稱，第三季度營業利潤可能下降 78%，原因是全球芯片供應過剩的持續影響導致這家韓國科技巨頭的搖錢樹業務出現虧損。這家全球最大的存儲芯片和智能手機制造商在一份簡短的初步收益聲明中預計，7 月至 9 月的營業利潤將從一年前的 10.85 萬億韓元降至 2.4 萬億韓元（IT之家備注：當前約 129.6 億元人民幣）。這跟此前一些分析師的預測基本相符，出于對經濟衰退的擔憂，智能手機和個人電腦制造商一直在避免購買新的存儲芯片，而是選擇在幾個月內耗盡現有庫
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- 三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發HBM4，目標2025年供貨。據韓媒，三星電子副總裁兼內存業務部DRAM開發主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發HBM4，目標2025年供貨。他透露，三星電子還準備針對高溫熱特性優化的NCF（非導電粘合膜）組裝技術和HCB（混合鍵合）技術，以應用于該產品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業務團隊，以加強尖端封裝技術并最大限度地發揮業務部門之間的協同作用。
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- 10月10日消息，因受到全球芯片供應持續過剩的影響，三星電子的“搖錢樹”業務第三季度可能出現巨額虧損，營業利潤預計將較上年同期下降80%。作為全球最大的內存芯片、智能手機和電視制造商，三星電子將于周三公布第三季度初步業績。LSEG SmartEstimate對19位分析師進行的調查顯示，在第三季度，三星電子的營業利潤可能降至2.1萬億韓元（約合15.6億美元）。相比之下，去年第四季度的營業利潤為10.85萬億韓元（約合80億美元）。三星營業利潤大幅下滑的原因是，由于內存芯片價格未能像部分人預期的那樣迅速回
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- 韓國總統辦公室通報，美國同意無限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導體設備，無需其它許可。據央視新聞客戶端，當地時間10月9日，韓國總統辦公室經濟首席秘書崔相穆在記者會上表示，美國同意無限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導體設備，無需其它許可。
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- 韓媒報道，美國將無限期延長對三星電子和 SK 海力士在中國業務的豁免。
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三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經成為對中國投資最大的韓資企業之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發展最快的高科技品牌。
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