- 隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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三星 第九代 V-NAND
- 近日，據媒體報道，三星電子存儲業務主管李政培稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品，希望明年初可以實現量產。三星正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。目前，存儲產業處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
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三星 第九代 V-NAND 閃存
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