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隨著存儲(chǔ)器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報(bào)告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報(bào)告強(qiáng)調(diào)，三星和SK海力士披露的混合鍵合相......
意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一系列內(nèi)置128位唯一只讀ID碼 (UID) 的串口EEPROM芯片，以滿足市場對產(chǎn)品識(shí)別、溯源和維修的需求。除了常規(guī)的用于存儲(chǔ)參數(shù)和數(shù)據(jù)的EEPROM用戶存儲(chǔ)空間外，只讀UID碼是在意法半導(dǎo)......
5 月 7 日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 5 日，英特爾宣布成為唯一在 MLPerf Client v0.6 基準(zhǔn)測試中實(shí)現(xiàn)全 NPU 支持的企業(yè)。英特爾表示，該結(jié)果標(biāo)志著行業(yè)首個(gè)針對客戶端 NPU 的大語言模型（LLM）性......
據(jù)韓國媒體ZDNet Korea報(bào)道，三星電子在2025年2月左右已提前開始量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E高帶寬內(nèi)存，但尚未通過GPU巨頭英偉達(dá)的認(rèn)證，因此目前無法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫存的風(fēng)險(xiǎn)。市場消息人士......
全球存儲(chǔ)器市場近期出現(xiàn)顯著價(jià)格上漲，消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動(dòng)態(tài)，SK海力士消費(fèi)級(jí)DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash......
NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。......
1. 定義DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格：2. 阻抗控制要求單端走線控制 50 歐姆，差分走線控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常，根據(jù)器......
快科技5月4日消息，Cerabyte表示，其新型玻璃存儲(chǔ)器的使用壽命可達(dá)5000年。據(jù)TH報(bào)道，近日，存儲(chǔ)初創(chuàng)公司Cerabyte分享了一段視頻，對其玻璃存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行了嚴(yán)苛測試。該公司取下其玻璃存儲(chǔ)介質(zhì)的薄片，放入裝滿鹽......
快科技4月30日消息，隨著AI應(yīng)用的快速普及，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求也在快速增長，Windows 10停止更新也推動(dòng)了PC換機(jī)潮，使得知名存儲(chǔ)大廠希捷在2025財(cái)年第三季度交出了一份亮眼的成績單。根據(jù)希捷最新發(fā)布的財(cái)報(bào)，2025會(huì)......
據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計(jì)劃在第7代10nm級(jí)DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e......
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