- 三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬內存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前，HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數據、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質量回流 （MR-MUF） 或使用非導電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔
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- 隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產品，混合鍵合技術越來越受到關注。根據 ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關鍵專利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。 據報道，三星電子已與長江存儲簽署了一項許可協議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術。此舉反映了三星希望規避長江存儲的專利的挑戰，這些專利被認為難以避免。報告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規模生產基于混合鍵合的NAND已有大約四年
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- 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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- 上周，IEEE電子元件與技術會議（ECTC）的研究人員推動了一項對尖端處理器和存儲器至關重要的技術。該技術被稱為混合鍵合，將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲器中的晶體管數量，盡管曾經定義摩爾定律的傳統晶體管收縮速度普遍放緩。來自主要芯片制造商和大學的研究小組展示了各種艱苦奮斗的改進，包括應用材料公司、Imec、英特爾和索尼在內的一些研究小組顯示的結果可能導致3D堆疊芯片之間的連接密度達到創紀錄的密度，即在一平方毫米的硅中約有700萬個鏈接。Imec設法在每2微米放置一次的
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