Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業務表現不佳，該業務占整體利潤的 50-60%。由于持續的技術問題，高帶寬內存（HBM）和其他高容量、高附加值內存產品未能從蓬勃發展的人工智能（AI）領域獲益。代工（合同芯片制造）和系統 LSI 業務也因未能爭取到主要客戶而繼續虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規模生產批準的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內存庫存得到清理，人們對業績反彈的預期正在增長。根據行業消息，7 月 8 日三星電子的設備解決方案（DS）部
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三星電子 HBM.半導體產業
三星電子在今年第二季度錄得的營業利潤明顯低于市場預期，引發了對其高帶寬內存 （HBM） 業務失敗的擔憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業務的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領下取得了不錯的成績，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產品都未能取得顯著成果，導致 SK 海力士和美光占據市場領先地位。根據國內證券公司的分析，三星電子的內存部門錄得約 3 萬億韓元的營業利
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三星電子 半導體 HBM
據最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產品預計將在未來2到3年內問世。在規劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現更優。為加快研發進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發。VCT DRAM技術是一種新型存儲
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三星電子 VCT DRAM
三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬億韓元），在大都市地區建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來的半導體制造設備以保持三星在先進工藝制程技術的領先性。針對這次合作，ASML特別與韓國土地住宅公社（LH）簽訂了在京畿道華城購買6個地塊（約 19,000 平方米）的合同以建設研發中心。不過最近這項計劃可能出現了一些變動， ASML最近出售了其中的兩塊地塊，并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個地塊，但ASML似乎沒有計劃在剩余的空間里與三星建立研發中心。 ASML 是
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三星電子 ASML EUV
根據韓國媒體Pulse的報道，復雜國際形勢下，三星已經開始與全球主要客戶進行價格調整的談判，三星計劃對DRAM和NAND閃存產品進行3%至5%的提價。報道指出，在過去的幾個月里，存儲器芯片的需求因為客戶的儲備行為而急劇上升，這使得三星開始重新考慮其定價策略。此前，該公司由于市場供應過剩和需求疲軟，長期維持穩定價格。然而，隨著國際形勢以及存儲市場變化，加上競爭對手宣布提價，三星也開始加入漲價陣營。根據TrendForce集邦咨詢預測，DRAM價格在第二季度有望上漲3%至8%，而NAND閃存的價格也將隨著需求
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三星電子 存儲器
據韓國媒體 etnews 最新報道，三星電子在智能穿戴設備領域又有新動作，除了正在推進的頭顯產品 Project Moohan 外，公司還在秘密研發一款代號為“??”（海岸）的智能眼鏡。據悉，這款智能眼鏡預計將于今年年底正式發布，為市場帶來新的驚喜。雖然具體規格尚未公布，但據透露，三星在這款智能眼鏡的人體工學設計上投入了大量精力，力求為用戶提供極致的佩戴舒適度。值得一提的是，這款智能眼鏡并未配備傳統的遙控器或按鈕，而是可能采用了更為先進的手勢交互技術。etnews 推測，眼鏡上可能會集成攝像頭和傳感器，以
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三星電子 智能穿戴 智能眼鏡
除了 ArF 空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。
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三星電子 EUV
據韓媒報道，三星電子近日正在為旗下自研處理器Exynos 2600投入大量資源，以確保其按時量產，且已在試產中獲得初步成功，其2nm工藝（SF2）的良率達到了高于預期的30%。這一工藝被預期在今年下半年進行量產，并且這一良品率還有望進一步提升。報道中稱，SF2是三星晶圓代工部門計劃在2025年下半年推出的最新制程技術，采用第三代GAA技術。與SF3制程技術相較，SF2性能有望提高12%，能效提高25%，而芯片面積微縮5%。有消息稱，Exynos 2600預計將用在計劃于2026年第一季發表的Galaxy
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三星電子 SF2 芯片制程
12 月 3 日消息，據韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經確定，有必要建立聯盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯合電子設備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規格。▲ 圖源三星PIM 內存技術是一種將存儲和計
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三星電子 SK 海力士 內存
●? ?采用是德科技的超寬帶測試解決方案，并搭載三星的?U100?芯片組進行測試●? ?可確保超寬帶設備的穩定性和安全性是德科技助力三星電子成功驗證FiRa? 2.0安全測距測試用例是德科技（Keysight Technologies, Inc.）成功助力三星電子，在其Exynos Connect U100芯片組上驗證了FiRa? 2.0安全測試用例。此次驗證得益于是德科技提供的超寬帶?（UWB）測試解決方案，該方案符合物理層一致性測試
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意義：現代汽車和起亞汽車日前已與三星電子建立戰略合作伙伴關系，旨在加強軟件定義車輛（SDV）與智能手機之間的整合。此次合作將在現代汽車全球軟件中心42dot的技術支持下，重點開發下一代信息娛樂系統并打造一個開放的出行生態系統。目標是開發一個用戶友好的汽車環境，將車載信息娛樂系統與三星計劃于2026年推出的SmartThings物聯網（IoT）平臺進行整合。展望：現代汽車集團計劃打造一個將出行解決方案與基礎設施相結合的智慧城市平臺。這一舉措將支持公司向軟件驅動型出行服務提供商轉型的戰略，旨在構建一個連接數據
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三星電子今日宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業提
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三星電子 V-NAND 車載SSD
9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND 技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導體質量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。據介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫入速度高達1
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IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式
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IT之家 7 月 1 日消息，據《韓國經濟日報》報道，三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產業銀行申請 5 萬億和 3 萬億韓元（IT之家備注：當前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣）低息貸款，用于業務擴張。韓國產業銀行由韓國政府全資控股，是韓國唯一的政策性金融機構，主要為韓國國家經濟發展提供長期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導體生態系統綜合支持計劃”。作為該計劃的一部分，韓國產業銀行將向半導體企業發放 17 萬億韓元低息貸款，其中大企業可獲得 0.8~1% 利率折讓，而中小
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三星電子介紹
三星電子（Samsung Electronics KSE：005930 、KSE：005935 、LSE：SMSN、LSE：SMSD）是世界上最大的電子工業公司。1938年3月它于朝鮮大邱成立，創始人是李秉喆，現在的社長是李健熙。一開始它是一個出口商，但很快它就進入了許多其它領域。今天它在全世界58個國家擁有20多萬職員。2003年，它的周轉值為1017億美元。在世界上最有名的100個商標的列 [
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