3月13日消息，除了首款商用級PCIe 5.0 SSD PC450，長江存儲還披露了首款企業級PCIe 5.0 SSD，型號為“PE511”。它采用長江存儲新一代晶棧4.0閃存，相比于現有的PE321首次增加了16TB、32TB的大容量版本，同時保留3.84他、7.68TB，而最小的1.92TB直接淘汰。接口形態在U.2之外，還新增加了E3.S。由于采用了PCIe 5.0接口，整體性能可提升多達100％，直接翻番，但暫未公開具體數據。在耐久度方面也提升了20％，支持每天4次全盤寫入。發布時間暫時不詳，估計
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近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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據韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行制造。報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位。并且三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影
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據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術，特別是在新的先進封裝技術“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協議，達成合作。據悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產的下一代NAND，該產品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術。據了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業，并將這項技術命名為“晶棧Xtacking”。該技術可在一片晶圓上獨立加工負責
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1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
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當地時間1月6日，美國國防部通過《聯邦公報》發布最新版的“中國涉軍企業”清單（Communist Chinese military company，“CMC”，根據美國法律正式規定為“第1260H條名單”），將騰訊控股、寧德時代、長鑫存儲、移遠通信，以及無人機制造商深圳市道通智能航空技術股份有限公司（Autel Robotics Co.,Ltd.）等中企新增列入該清單，完整清單包括134家中企，其中還涵蓋了長江存儲、中芯國際等眾多中國半導體企業。根據美國《2024財年國防授權法》的相關規定，被列
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12月18日消息，長江存儲近日推出了PE321固態硬盤，憑借其第三代三維閃存技術，以高達6.4TB的容量引起了廣泛關注。現在這款SSD已經來到我們評測室，下面為大家帶來圖賞。PE321是長江存儲首款采用晶棧Xtacking 2.0 技術的PCIe 4.0企業級固態硬盤。其最大順序寫入速度達到6400MB/s，讀取速度更是高達6800MB/s，這在處理大容量數據時無疑是巨大的優勢。隨機讀寫性能方面同樣不俗，在進行4K隨機讀寫測試時，其寫入性能穩步達到650k IOPS，讀取性能為580k IOPS，這使得它
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12月9日消息，針對外界的傳聞，長江存儲公開回應稱，他們沒有上市的打算。長江存儲發布聲明稱，近期多家媒體捏造、散布和傳播長江存儲“借殼上市”的不實傳聞。為澄清事實，我司發表聲明如下：一、長江存儲從無任何“借殼上市”的意愿。 二、長江存儲與“萬潤科技”等上市公司無直接業務合作。三、請相關單位自重并立即停止一切失實報道。我司將保留追究相關單位法律責任的權利。作為國產存儲之光，之前有消息稱長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產半導體設備替代部
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IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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在閃存領域突飛猛進的長江存儲，還是遭到了美國的制裁，被列入“實體清單”，幾乎是同一時間，三星就開始漲價了！DigiTimes報道稱， 隨著長江存儲遭到制裁，部分PC廠商不得不暫停合作，而面對突然增加的市場需求，三星將其3D NAND閃存的報價提高了10％。當然，同樣作為NAND閃存巨頭，SK海力士、美光、鎧俠/西部數據也有機會獲得更多市場，但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應商，今年第二季度份額為33％ ，雖然下跌了2.3個百分點但依然遙遙領先。 相比之下，SK
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10月20日晚，長江存儲發布嚴正聲明，以下為聲明全文：近日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”或“我司”）發現個別媒體通過多種渠道刊登、散布“工信部與國內主要半導體企業過去一周召開了一系列緊急會議，尋求評估拜登政府針對芯片祭出的限制措施所造成的損害，并承諾對這個半導體行業的支持”的信息，并散布關于我司參與閉門會議的不實言論。面對謠言，長江存儲一貫堅持清者自清。但在目前市場環境和產業環境正在發生重大變化的局勢下，上述用心險惡的不實言論不止傷害了長江存儲的企業形象，還將對國內外半導體產業環境造成嚴
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IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發布會，正式發布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經進入蘋果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進一步
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今日消息，長江存儲宣推首款企業級PCIe4.0固態硬盤 PE310系列，適用于大數據、云計算、流媒體等云存儲場景。這個系列采用U.2接口，支持PCIe4.0和NVMe1.4協議，而且搭載自家第三代三維閃存芯片，讀取密集型可選1.92TB、3.84TB和7.68TB，混合應用型可選1.6TB、3.2TB和6.4TB。另外，其4K隨機讀、寫穩態性能高達1000KIOPS、380KIOPS。值得一提的是，長江存儲PE310系列固態硬盤已經上市。喜歡這一系列的朋友就多關注下吧。
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長江存儲首款企業級PCIe 4.0固態硬盤PE310系列的推出，是長江存儲對企業級存儲市場的重要布局，也標志著長江存儲存儲系統解決方案業務版圖的完善。PE310將為大數據、云計算、流媒體等云存儲場景提供高性能、高可靠的數據存儲。2022年7月25日，長江存儲推出首款企業級PCIe 4.0 NVMe固態硬盤PE310系列，正式進入高端企業級固態硬盤市場。該產品是繼消費級固態硬盤、嵌入式存儲器之后，長江存儲在存儲系統解決方案領域的重要布局。長江存儲PE310系列基于晶棧?2.0（Xtacking?2.0）技術
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近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數據、AIoT的加速
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