劉忠立:證明中國半導體器件技術實力

    隨著信息產業的迅速發展，半導體器件和集成電路事業恰逢東風，日新月異。我國在該領域的研究逐步邁入世界先進行列，具有一定的發展優勢及規模。劉忠立教授作為國內該學科研究的領軍人物之一，為半導體器件技術的國產化做出了卓越的貢獻。 
　　
    劉忠立畢業于清華大學無線電電子學系半導體材料及器件專業。歷任中國科學院半導體研究所微電子研究及發展中心主任、傳感技術國家重點實驗室副主任。現任中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師、創新重大項目“特種半導體器件及電路”負責人；兼任傳感技術國家重點實驗室學術委員會委員、973國家重大基礎研究項目“面向功能重組結構的DSP&CPU芯片及其軟件的基礎研究”專家委員會委員、中國電子學會核輻射電磁脈沖專委會委員、中國電子學會半導體與集成技術分會ICCAD專委會委員、科技部經濟專家委員會專家、中國國際工程咨詢公司項目評估專家等職。這成串的職位背后蘊涵著劉忠立無盡的拼搏與奮進。 

　　上世紀60年代中期，劉忠立和研究小組成員沖破重重障礙，試制成功MOSFET及低噪音JFET等器件，其后，在國內率先建立了鈍化柵Si02中鈉離子的PSG(磷硅玻璃)方法、摻HCL高質量柵Si02生長等多項新工藝。由他主持的CMOS指針式電子手表電路研究，榮獲北京市科技二等獎。 

　　創新的理念激勵著他不斷前進，1980-1982年，他作為訪問學者在德國多特蒙德大學電子系從事新CMOS器件研究，首創性地提出并負責完成離子注入氮形成隱埋Si3N4的CMOS／SOI研究課題，得到國際同行的認可。劉忠立憑借他精湛的專業理論知識，先進的創造性思維觀念，以及他特有的執著與頑強向世人證明了中國半導體器件事業的發展實力。回國后他又投入到抗輻射CMOS／SOS集成電路研究中，使CMOS／SOS電路的抗輻射指標達到國際上相應電路的最好水平，獲中科院科技進步二等獎。1987年承擔東Ⅱ(甲)長壽命衛星5個品種抗輻射CMOS／SOS電路研制，發明的專利填補了國內空白，被中科院授予科技進步二等獎。 

　　1990-1991年受聘于德國著名的HMI研究所從事MOS器件抗輻射研究，成果顯著。在此期間完成專著一本，被高校選作參考教材。1992年負責的抗輻射加固COMS/SOS電路研制工作順利完成，標志這一高難度技術在我國進入成熟及實用階段。突出的成績使他榮獲光華基金個人二等獎。 

　　“八五”及“九五”期間，他負責多項國家重大預研課題，均已通過驗收。同中科院微電子所合作完成64K抗輻射CMOS／SOISRAM院重點創新項目，目前正在開展更大規模的同類電路研究。同時，他繼續開展SiGe／SOS、SiGe／SOIRF及寬帶隙（SiC）等器件研究，已取得國內一流的研究成果，研制成高反壓SiC二極管、SiC肖特基二極管、SiCMOS管等。出色的科研工作使劉忠立研究員在國內建立了一個抗輻射CMOS/SOS及CMOS/SOI研究基地，培養了眾多科研領域的中堅力量。多年來，他把自己的創造性思維與研究心得凝結成文字，發表著作多部，重要論文80余篇。 

　　獲得的榮耀激勵著劉忠立教授一如既往的在半導體器件領域不斷開拓進取。