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        LPDDR4即將成為旗艦智能手機的首選

        作者: 時間:2014-12-10 來源:集微網 收藏

          在智能手機嚴重同質化的今天,每一項新技術的出現都讓人們有所期待,從64位到八核,國內外芯片設計廠商都在想方設法快速跟進,生怕錯過了又一個新市場。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/266619.htm

          在64位和八核均晚于友商的,在全新旗艦64位八核驍龍810處理器上,它首次支持了雙通道,內存帶寬提升了一倍達到25.6Gps,功耗有所下降。在主流旗艦機均為2K屏幕的今天,對于內存帶寬的提高是相當必要的,更何況驍龍810支持4K屏幕,堅信4K UHD將成為2015年旗艦高端手機的選擇。

          是JEDEC固態技術協會在今年8月正式發布的新一代低功耗內存標準,主要面向智能手機、平板機、超薄筆記本等移動類設備。它的兩個最大的特點是提升頻率、性能和吞吐能力的同時降低了功耗。頻率最高可達4266MHz,是LPDDR3的兩倍。為了達到如此高的頻率,的架構經過了重新設計,從單通道Die、每通道16bit進化到了雙通道Die、每通道16bit,也就是總位寬翻番至32bit。雙通道的設計大大減少了數據信號從內存陣列到I/O接口的傳輸距離,直接降低了功耗,允許時鐘、地址總線和數據總線組合在一起。

          在功耗表現上,LPDDR4的運行電壓從上代的1.2V降低至1.1V,并特別設計了在超大頻率范圍內高效率進行,信號電壓為367mV或者440mW,降低了功耗。JEDEC JC-42.6工作委員會主席Hung Vuong表示:“LPDDR3只是在LPDDR2基礎上的一次進化,LPDDR4的架構則是完全不同的。”截止于目前,三星、、美光先后推出了LPDDR4內存產品。

          韓國媒體Business Korea消息近日指出,驍龍810在研發中出現問題恐怕會延誤交貨。Tomˋs Hardware指出,810 處理器過熱可能因為將Cortex A57的頻率提升過多,RAM問題或許跟首次支持LPDDR4內存有關。高通官方發言人今(9)日表示:“我們不會你所提及的任何謠傳或者推測進行評論,但是我們可以告訴大家的是高通驍龍810正按照既定的目標發售,我們期望能夠在2015年上半年看到搭載該芯片的商業產品。”

          相信隨著高通驍龍810的批量出貨,必將帶動一大批旗艦型智能手機采用最新的LPDDR4內存。外媒phones review透露,Galaxy Note 5將搭載2.8GHz的驍龍處理器810,5.9英寸的4K分辨率Super AMOLED顯示屏,3GB的LPDDR4 RAM,存儲空間為128GB,前置800萬后置2100萬像素的攝像頭,支持OIS??和4K視頻拍攝。

          

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          DRAMeXchange 11月30日報告預估,明年 LPDDR4 在移動 DRAM 市場的市占率將增至14%。2015 年移動設備的主流移動內存雖為 LPDDR3,但是 LPDDR4 將成旗艦智能手機的首選規格。DRAMeXchange 稱,三星將增加 LPDDR4 供給,今年第四季 LPDDR4 僅占三星移動 DRAM 供貨的 1%,明年 Q4 將增至 30%。SK 供給也會從今年 Q4 的 1%,明年 Q4 增至 18%。另外美光明年 Q1 量產 LPDDR4,預計明年 Q4 供貨將增至占整體移動 DRAM 的 25%。



        關鍵詞: LPDDR4 高通 海力士

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