英特爾嗆：技壓晶圓代工廠3.5年

　　英特爾技術及制程事業群總經理William Holt在2014年投資人會議中表示，英特爾的電晶體制程技術在過去10年的三個技術世代，均領先晶圓代工廠至少3年以上時間。

　　英特爾上周召開2014年投資人會議(Investor Meeting 2014)，英特爾技術及制程事業群總經理William Holt表示，英特爾的電晶體制程技術在過去10年的三個技術世代，均領先晶圓代工廠至少3年以上時間。

　　英特爾2013年5月進行14奈米制程生產，今年第1季良率進入成熟穩定階段。

　　William Holt在2014年投資人會議中表示，2003年以來，半導體市場經歷3次重大的技術改變，英特爾的制程均遙遙領先臺積電、格羅方德、三星、IBM等晶圓代工廠。

　　William Holt表示，英特爾在2007年中開始導入高介電金屬閘極(HKMG)技術，晶圓代工廠是2011年之后才開始跨入HKMG制程，晚了英特爾3.5年時間。再者，英特爾2011年末率先采用3D電晶體22奈米Tri-Gate制程，但晶圓代工廠要等到2015年中之后，才可望量產同屬3D電晶體世代的鰭式場效電晶體(FinFET)技術，也就是說，在Tri-Gate或FinFET技術上，晶圓代工廠仍落后英特爾3.5年。

　　英特爾也公布了14奈米電晶體尺寸細節，在電晶體閘極間距(gate pitch)達70奈米、內連結間距(interconnect pitch)僅52奈米，是目前電晶體最小間距的技術。

　　William Holt表示，由閘極間距乘以金屬間距(metal pitch)邏輯晶片尺寸(logic area scaling)角度，晶圓代工廠的20奈米及16/14奈米屬于同一世代制程，但英特爾14奈米的尺寸更小。以制程微縮的速度，晶圓代工廠要等到2017年進入10奈米世代后，尺寸大小才有機會贏過英特爾的14奈米。